时间：2025/5/7 10:51:22
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ETPE330MA9GB 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，采用先进的沟槽式技术制造。该器件具有低导通电阻和快速开关速度的特点，适用于多种高频开关应用场合。其封装形式为 TO-263，能够提供出色的散热性能和电气特性。
最大漏源电压：150V
连续漏极电流：33A
导通电阻：4.5mΩ
栅极电荷：65nC
开关频率：500kHz
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
ETPE330MA9GB 的主要特性包括低导通电阻、高电流承载能力和快速开关速度。这些特性使得该芯片非常适合于需要高效能和低损耗的应用场景。此外，其坚固的设计能够在极端温度条件下保持稳定性能。
低导通电阻降低了传导损耗，从而提高了整体效率。高电流承载能力允许在大功率应用中使用此器件。快速开关速度减少了开关损耗，并支持更高的工作频率，这有助于缩小外部元件的尺寸并优化系统设计。
这款功率 MOSFET 广泛应用于 DC-DC 转换器、电机驱动、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器以及各种工业控制设备中。由于其卓越的热性能和电气性能，ETPE330MA9GB 在高功率密度和高效能要求的场合表现出色。
它特别适合需要频繁开关且对功耗敏感的环境，例如汽车电子、通信电源及消费类电子产品中的适配器与充电器。
IRFP4468PBF
STP33NF06L
FDP16N10E
