ET319 时间：2025/12/28 9:21:16 阅读：13

ET319是一款由ETA公司生产的高效率、低功耗的同步整流控制器芯片，广泛应用于开关电源（SMPS）系统中，特别是用于反激式（Flyback）和正激式（Forward）拓扑结构中的次级侧同步整流控制。该芯片通过检测功率MOSFET的漏源极电压（VDS）来智能判断导通与关断时机，从而替代传统的肖特基二极管，显著降低整流损耗，提升电源转换效率，并减少热耗散，有助于实现更高功率密度和更小体积的电源设计。
　　ET319采用先进的自适应导通时间控制技术，能够在宽负载范围内实现精确的导通与关断控制，有效防止误触发和交叉导通现象，确保系统稳定可靠运行。其内置高压启动电路支持直接从主变压器次级绕组取电，简化了外围电路设计，降低了整体BOM成本。此外，该芯片具备完善的保护功能，包括过温保护、欠压锁定（UVLO）以及抗噪声能力强的栅极驱动输出，适用于各类适配器、充电器、开放框架电源及工业电源等应用领域。ET319封装形式通常为SOT-23或DFN等小型化封装，便于在紧凑空间内布局安装，同时具备良好的散热性能。

参数

工作电压范围：4.5V ~ 30V
　　启动电流：≤5μA
　　静态工作电流：≤180μA
　　最大驱动能力：高达1A峰值拉电流/1.5A灌电流
　　导通阈值电压（VTH_ON）：典型值60mV
　　关断阈值电压（VTH_OFF）：典型值200mV
　　响应延迟时间：典型值35ns
　　关断延迟时间：典型值60ns
　　工作结温范围：-40°C ~ +150°C
　　封装类型：SOT-23-6L 或 DFN-6L

特性

ET319同步整流控制器的核心特性之一是其基于VDS检测的智能同步整流技术。该技术通过实时监测功率MOSFET的漏源极电压变化来判断电流流向与零点，从而精准控制MOSFET的导通与关断时刻。当变压器次级电流开始流动时，MOSFET导通以替代传统二极管进行整流；当电流趋于零时，芯片迅速关断MOSFET，避免反向电流流过造成能量损耗。这种自适应控制机制无需外部时序设定元件，极大地简化了设计流程，并提高了系统的动态响应能力和效率稳定性。
　　另一个关键特性是其优异的抗干扰能力。由于在反激拓扑中，次级侧存在较大的电压尖峰和高频噪声，容易导致误触发。ET319内置多重噪声抑制电路和滤波机制，能够有效识别真实导通信号与瞬态干扰，防止因dV/dt过高而引起的误开通。同时，芯片具有可调的关断延迟窗口，允许用户根据实际应用调整响应速度与稳定性之间的平衡。
　　ET319还集成了全面的保护功能。例如，当芯片温度超过安全阈值时，内部过温保护电路将自动关闭输出，待温度恢复后重新启动，保障长期运行可靠性。欠压锁定（UVLO）功能确保芯片在供电电压未达到稳定工作范围前不会误动作，提升了系统上电过程的安全性。此外，其低启动电流和静态功耗设计使其非常适合对空载功耗有严格要求的能源标准（如DoE VI、ErP Lot 6），帮助客户轻松满足全球能效法规要求。

应用

ET319同步整流控制器主要应用于各类中低功率开关电源系统中，尤其是在追求高效率、小体积和低成本的消费类电子产品电源设计中表现突出。典型应用场景包括手机、平板电脑、笔记本电脑的AC-DC适配器和USB-PD充电器，这些设备对能效等级和待机功耗有较高要求，ET319凭借其低静态电流和高效整流能力，可显著提升满载和轻载条件下的转换效率。
　　此外，该芯片也广泛用于智能家居设备电源模块，如路由器、网络摄像头、智能音箱等嵌入式供电单元。在工业领域，ET319可用于工业传感器、PLC辅助电源、LED驱动电源等对可靠性要求较高的场合。由于其支持宽输入电压范围和良好的热稳定性，即使在恶劣环境条件下也能保持稳定工作。
　　在设计上，ET319特别适合搭配初级侧PWM控制器（如准谐振QR控制器或CCM PFC+LLC组合架构）使用，构成完整的高效电源解决方案。其无需光耦反馈即可实现精确同步控制的能力，使得它在原边反馈（Primary-Side Regulation, PSR）电源架构中尤为受欢迎，进一步减少了元器件数量，提高了系统集成度和可靠性。随着全球对绿色能源和节能减排需求的不断提升，ET319在推动高能效电源普及方面发挥着重要作用。