制造商：Mitsubishi Electric
　　模块类型：IGBT模块
　　配置：半桥（Half Bridge）
　　额定电压：1200V
　　额定电流：50A
　　导通压降：约1.5V（典型值）
　　最大工作温度：150℃
　　封装形式：表面贴装（SMD）
　　安装方式：PCB表面贴装
　　封装尺寸：根据数据手册约为48.5 x 26.5 x 3.5 mm
　　热阻：约1.2K/W（结至壳）
　　最大短路电流：约150A（10μs）

ESMM3B1VSN561MA30S具备高集成度和紧凑设计，适用于高频开关应用，提供高效的功率转换性能。
　　该模块采用先进的封装技术，确保良好的热管理和机械稳定性，适用于严苛的工业环境。
　　内置的IGBT元件具有低导通压降和快速开关特性，降低了开关损耗，提高了系统效率。
　　模块内部的热阻设计优化，使得散热性能优越，有助于提高整体系统的可靠性和寿命。
　　此外，该模块具有良好的电磁兼容性（EMC），可有效减少电磁干扰，适合在复杂电磁环境中使用。
　　其表面贴装封装方式便于自动化生产和焊接，提高了生产效率和一致性。
　　模块内部采用高纯度陶瓷基板，提高了绝缘性能和热传导效率，确保在高温环境下的稳定运行。

该模块广泛应用于工业自动化设备、伺服驱动器、变频器、不间断电源（UPS）、电焊机和电机控制等电力电子系统中。
　　在伺服驱动系统中，该模块用于实现对电机的高精度控制，提供稳定可靠的功率输出。
　　在变频器系统中，该模块用于直流-交流功率转换，支持高效节能的电机控制方案。
　　此外，该模块也可用于新能源系统，如太阳能逆变器和储能系统，以实现高效率的能量转换。
　　由于其良好的热管理和紧凑设计，特别适用于空间受限且对散热要求较高的应用场合。

ESMH3B1VSN561MA30S, ESMM3B1VSN561MA30H, PM100CL1A060, FS50R06KE3