MA0402CG120J250 是一款基于氮化镓(GaN)技术的高效功率晶体管,专为高频、高效率的应用场景设计。该型号属于 Cree 公司的 GaN 系列产品,主要适用于射频功率放大器和无线能量传输等应用领域。它采用了先进的 0.4μm 工艺制程,确保了高输出功率和低热阻特性。
这款晶体管具有出色的线性度和增益性能,在高频工作环境下表现出优异的稳定性和可靠性。其封装形式采用行业标准的陶瓷气密封装,以提高散热性能和电气隔离能力。
型号:MA0402CG120J250
类型:GaN 功率晶体管
工作频率范围:1 GHz 至 4 GHz
最大输出功率:120 W
饱和漏极电流:2.5 A
击穿电压:100 V
栅极-源极电压(Vgs):-3 V 至 +6 V
输入匹配网络:集成
输出匹配网络:可选密封装
MA0402CG120J250 晶体管的主要特点包括:
1. 高效功率转换:得益于氮化镓材料的高电子迁移率特性,该器件在高频下能够实现高达 70% 的效率。
2. 高输出功率密度:与传统硅基 MOSFET 相比,GaN 技术允许更高的功率密度,从而缩小整体系统尺寸。
3. 快速开关速度:纳秒级的开关时间使其非常适合脉冲调制和其他高速应用场景。
4. 热管理优化:陶瓷气密封装提供了良好的散热路径,确保长时间稳定运行。
5. 宽带操作能力:支持从 1 GHz 到 4 GHz 的宽频率范围,适应多种通信标准和雷达系统的需求。
6. 内部保护机制:内置过流保护和短路保护功能,提高了系统的可靠性和安全性。
MA0402CG120J250 广泛应用于以下领域:
1. 射频功率放大器:用于基站、卫星通信、军事雷达等需要高功率输出的应用。
2. 无线能量传输:支持高效的能量传输,尤其是在电动汽车充电站和工业设备中。
3. 医疗设备:如超声波成像仪和治疗仪器中的射频发生器。
4. 航空航天:在导航系统和机载雷达中有广泛应用。
5. 工业加热设备:例如微波炉和等离子体发生器中的高频电源模块。
MA0402CG100J250, MA0402CG150J250