电容值：270 pF
　　容差：±0.1 pF
　　额定电压：1 kV
　　温度系数：B特性（±10%）
　　介质材料：陶瓷
　　封装尺寸：3.2 mm x 1.6 mm（即EIA 1206封装）
　　工作温度范围：-55°C ~ +125°C
　　绝缘电阻：≥10,000 MΩ
　　损耗角正切（tanδ）：≤0.015
　　最大纹波电流：依据具体应用条件而定

ESMM3B1VSN271MR25S 是一款具有高介电强度和优异稳定性的多层陶瓷电容器，适用于对电气性能要求较高的工业设备和电子系统。其主要特性包括：
　　1. 高电压耐受性：该电容器的额定电压为1 kV，能够在高电压环境下保持稳定运行，适用于电源转换、高压电路保护和高电压信号处理等应用场景。
　　2. 高精度容差：该型号的容差为±0.1 pF，能够提供非常稳定的电容值，适合用于高精度滤波器、射频电路以及精密测量设备。
　　3. 良好的温度稳定性：采用B特性温度系数，其电容值在温度变化时的变化范围控制在±10%以内，适用于在宽温度范围内保持稳定性能的电子设备。
　　4. 高绝缘电阻：其绝缘电阻值大于10,000 MΩ，能够有效防止漏电流，确保电路的稳定性和安全性。
　　5. 低损耗特性：损耗角正切（tanδ）小于或等于0.015，这意味着电容器在高频或高电压工作条件下能够保持较低的能量损耗，减少发热并提高整体效率。
　　6. 耐环境性能：该电容器具有良好的耐湿性和耐热性，能够在恶劣的环境条件下保持稳定性能，适合用于工业自动化、航空航天、汽车电子等领域的高可靠性需求。
　　7. 表面贴装设计：采用SMD（表面贴装）封装，便于自动化生产和高密度电路板布局，减少焊接点数量，提高制造效率和可靠性。

ESMM3B1VSN271MR25S 多层陶瓷电容器广泛应用于以下领域：
　　1. 工业设备：用于高压电源模块、工业自动化控制电路、高压传感器和工业测试设备中的滤波、耦合和去耦电路。
　　2. 电源转换系统：适用于DC-DC转换器、AC-DC电源模块、开关电源（SMPS）等场合，提供高电压稳定性和低损耗的电容支持。
　　3. 射频（RF）和高频电路：由于其高精度容差和低损耗特性，适用于射频滤波器、射频放大器、天线匹配网络等射频电路设计。
　　4. 医疗电子设备：用于高精度医疗仪器、诊断设备和监护系统中的高压电路和精密信号处理。
　　5. 汽车电子系统：应用于车载电源系统、车载娱乐系统和汽车传感器中的高压滤波和信号耦合。
　　6. 航空航天和国防电子：用于高可靠性要求的航空航天设备、雷达系统和军事通信设备中的高压电路和射频电路。

GRM32ER61H271FA01L, C1206C271J1GACTU, CL21B271JBQNNNE