时间：2025/6/10 17:27:01
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AMK325ABJ157MM-P是一款高性能的功率MOSFET芯片，采用先进的半导体制造工艺设计，广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等电力电子领域。该芯片具有低导通电阻和高开关速度的特点，能够显著提高系统的效率和稳定性。
其封装形式为PQFN（塑封四方扁平无引脚封装），具备良好的散热性能和紧凑的体积，适合对空间要求较高的应用场合。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(VDS)：60V
最大栅源电压(VGS)：±20V
连续漏极电流(ID)：40A
导通电阻(RDS(on))：2.5mΩ
总闸电荷(Qg)：80nC
输入电容(Ciss)：3200pF
输出电容(Coss)：105pF
工作温度范围：-55℃至+175℃
1. 极低的导通电阻RDS(on)，可降低功耗并提升系统效率。
2. 高雪崩能力，增强了器件在异常情况下的耐受力。
3. 快速开关性能，有助于减少开关损耗。
4. 内置ESD保护电路，提高了芯片的抗静电能力。
5. 符合RoHS标准，绿色环保。
6. 封装结构优化，热阻较低，散热性能优异。
1. 开关模式电源(SMPS)中的同步整流。
2. 电动工具及家用电器中的电机驱动控制。
3. 通信设备中的负载开关。
4. 工业自动化中的逆变器与变频器。
5. 新能源汽车中的DC-DC转换模块。
6. 各类高效能电池管理系统的功率转换部分。
AMK325ABJ157MM-N, IRF3205, FDP5500
