电容值：220 pF
　　容差：±20%
　　额定电压：100 V
　　介质材料：C0G/NP0
　　封装尺寸：0805（2012 公制）
　　温度系数：0 ppm/°C ±30 ppm/°C
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C

ESMM3B1VSN221MQ25S 采用 C0G/NP0 介质材料，具有出色的温度稳定性和频率稳定性，适用于高精度电路。其表面贴装封装设计便于自动化装配，并提供良好的焊接可靠性。该电容器具有低 ESR（等效串联电阻）和低 ESL（等效串联电感），使其在高频应用中表现优异。此外，它还具有优异的长期稳定性和抗老化性能，能够在严苛环境中长期工作而不影响性能。
　　该电容器的容差为±20%，在实际应用中允许一定的电容值波动，同时其额定电压为 100V，可以满足中高电压应用的需求。在高频滤波、耦合和旁路电路中，ESMM3B1VSN221MQ25S 表现出良好的性能，适用于通信设备、工业控制系统、汽车电子等多种领域。
　　作为一款表面贴装元件，该电容器的封装尺寸为 0805（公制 2012），适用于标准 SMT（表面贴装技术）工艺，便于在 PCB 上进行布局和焊接。

ESMM3B1VSN221MQ25S 广泛应用于各类电子设备中，尤其是在需要高稳定性和高频性能的场合。典型应用包括射频（RF）电路中的滤波、耦合和旁路电容，模拟电路中的精密电容匹配，以及电源管理电路中的去耦电容。由于其良好的温度稳定性和可靠性，该电容器也常用于汽车电子系统、工业自动化设备、医疗仪器和通信基础设施等对性能要求较高的领域。

TDK C0805C221J1GACTU, Murata GRM21BR71H223KA01L, Yageo CC0805JRNPO221J