时间：2025/5/19 16:10:41
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S-LDTD123YLT1G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，主要用于需要高效能和低导通电阻的应用场景。该芯片采用先进的制造工艺，能够提供卓越的开关性能和稳定性。其设计适合在汽车电子、工业电源、消费类电子等领域中使用。
型号：S-LDTD123YLT1G
类型：N-Channel MOSFET
漏源电压(Vds)：60V
连续漏极电流(Id)：140A
栅极电荷(Qg)：75nC
导通电阻(Rds(on))：1.5mΩ
封装形式：TO-247-3
工作温度范围：-55℃ to 175℃
最大功耗：290W
S-LDTD123YLT1G 的主要特性包括高电流处理能力、低导通电阻以及快速开关速度。这些特点使其非常适合用于大功率应用场合，如DC-DC转换器、电机驱动器、逆变器等。此外，它还具有较低的热阻，确保在高温环境下仍能保持稳定的性能。
该芯片采用的材料和技术能够有效降低能耗，同时具备出色的可靠性和耐用性。通过优化的内部结构设计，进一步提升了效率并减少了开关损耗。
由于其坚固的设计和广泛的温度适应范围，这款MOSFET能够在极端条件下正常运行，为系统提供了更高的安全保障。
S-LDTD123YLT1G 广泛应用于各种高功率电子设备中，例如电动汽车中的牵引逆变器、太阳能逆变器、不间断电源(UPS)系统以及工业自动化设备中的大功率电源模块。
此外，它还可用于音频放大器、焊接设备以及其他需要大电流输出的应用领域。凭借其优异的性能表现，该芯片成为许多工程师在设计高效率、高可靠性电路时的首选方案。
S-LDTD123HLT1G, IRFB4110TRPBF, FDP158N06EL
