类型：多层陶瓷电容器（MLCC）
　　封装/封装尺寸：SMD，1812（4532 公制）
　　电容值：680 pF
　　容差：±20%
　　额定电压：50 VDC
　　介质材料：C0G（NP0）
　　温度系数：0 ±30 ppm/°C
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　绝缘电阻：10000 MΩ min
　　损耗因数（DF）：最大 0.025（25°C，1 kHz）
　　自谐振频率（SRF）：典型值 140 MHz

ESMM351VSN681MR50S 电容器具有多项优异特性，适用于高频和高稳定性要求的应用场景。首先，其采用 C0G（NP0）介质材料，提供了极高的电容稳定性，受温度、电压和时间的影响极小，这使其非常适合用于滤波器、振荡器和射频电路等对电容值变化极为敏感的应用。其次，该电容器的工作温度范围为 -55°C 至 +125°C，能够适应各种严苛的工作环境，如工业控制系统、汽车电子和高温环境下运行的通信设备。
　　此外，ESMM351VSN681MR50S 采用 SMD（表面贴装）封装，尺寸为 1812（4532 公制），便于自动化生产和节省 PCB 空间，适用于高密度电路板设计。该封装方式还具有较低的寄生电感，提高了高频性能。其自谐振频率（SRF）高达 140 MHz，确保在高频应用中仍能保持良好的阻抗特性。
　　该电容器的额定电压为 50 VDC，能够承受较高的直流电压，同时其容差为 ±20%，在大多数应用中可以满足精度要求。绝缘电阻高达 10000 MΩ，确保电容器在长时间运行中保持良好的电性能，减少漏电流问题。损耗因数（DF）最大为 0.025，在 25°C 和 1 kHz 条件下表现优异，有助于减少高频应用中的能量损耗。

ESMM351VSN681MR50S 电容器适用于多种高性能电子设备和系统，尤其是在对电容稳定性、高频性能和工作温度范围有较高要求的应用中。典型应用包括：
　　1. **射频（RF）和无线通信电路**：由于其C0G/NP0介质材料和低损耗特性，该电容器常用于射频滤波器、天线调谐电路和振荡器中，确保信号的高稳定性和低失真。
　　2. **工业自动化和控制系统**：适用于高精度模拟电路、电源去耦和信号处理电路，提供稳定的电容值以确保系统运行的可靠性。
　　3. **汽车电子系统**：包括车载娱乐系统、发动机控制模块和传感器接口电路，适用于高温和振动环境下运行。
　　4. **消费类电子产品**：如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的电源管理电路和信号滤波电路。
　　5. **医疗电子设备**：用于医疗监测设备、便携式诊断仪器等要求高可靠性和稳定性的场合。

GRM32ER71H682KA12L, CL21B681KBQNNNE, C1608C0G1H681J060AE, C1608X7R1H681K060AC