时间：2025/8/10 16:27:31
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ESKT52QFPA 是一款由东芝（Toshiba）公司推出的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）器件，主要用于功率开关应用。这款MOSFET具有高性能和高可靠性，适用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制和各种功率电子设备。ESKT52QFPA采用了先进的半导体技术，能够在高频率和高电流条件下稳定工作，同时保持较低的导通电阻和开关损耗。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：100A
最大漏源电压（VDS）：60V
导通电阻（RDS(on)）：约2.9mΩ（典型值）
栅极电荷（Qg）：约160nC
封装形式：TO-247
工作温度范围：-55°C至175°C
ESKT52QFPA具备低导通电阻的特性，使其在导通状态下能够减少功率损耗，提高系统的整体效率。该器件的高电流承载能力使其适合用于高功率密度的设计中。此外，其高耐压特性（60V）使其能够在中高电压应用中稳定运行，适用于多种电源管理和电机驱动场景。由于其优异的热性能，该MOSFET能够在高温环境下长时间工作而不会出现明显的性能下降。
ESKT52QFPA的栅极驱动特性经过优化，降低了开关损耗，使其适用于高频开关应用。其较高的栅极阈值电压有助于提高抗干扰能力，减少误触发的风险。此外，该器件的封装形式（TO-247）具有良好的散热性能，便于在高功率应用中进行热管理。
ESKT52QFPA广泛应用于各种功率电子设备中，包括DC-DC转换器、电机驱动器、电源管理系统、UPS（不间断电源）、工业自动化设备和电动汽车充电系统。其高电流和高耐压特性也使其适用于电池管理系统（BMS）和能量存储系统中的功率开关控制。此外，在需要高可靠性和高效率的工业和汽车电子应用中，ESKT52QFPA也是一款理想的功率MOSFET选择。
TKA100N60X
