ESDT35V0B 是一款高性能的 TVS (瞬态电压抑制器) 二极管,专为保护电子设备免受静电放电 (ESD)、雷击和其他瞬态过压事件的影响而设计。该器件采用先进的半导体制造工艺,具有低电容、快速响应时间和高浪涌能力的特点,非常适合用于高速数据线和信号线的保护。
ESDT35V0B 的封装形式紧凑,适合在空间受限的应用中使用,同时其双向特性使其适用于交流和直流信号线路。
最大工作电压:3.3V
击穿电压:3.9V
峰值脉冲电流:68A
箝位电压:12.8V
结电容:4pF
响应时间:1ps
最大漏电流:1uA
工作温度范围:-55℃ 至 +150℃
1. 极低的结电容,确保对高速信号的影响最小化。
2. 超快的响应时间,能够有效抑制瞬态电压尖峰。
3. 高度可靠的 ESD 保护能力,符合 IEC 61000-4-2 标准。
4. 双向结构设计,支持双向信号保护。
5. 小型化封装,节省 PCB 布局空间。
6. 宽泛的工作温度范围,适应各种恶劣环境条件。
ESDT35V0B 广泛应用于消费类电子产品、通信设备、工业控制和汽车电子等领域。典型应用包括:
1. USB、HDMI 和其他高速数据接口的保护。
2. 移动设备(如手机和平板电脑)中的天线端口保护。
3. 工业自动化系统中的传感器输入保护。
4. 汽车电子系统的 CAN 总线和 LIN 总线保护。
5. 网络设备中的以太网端口保护。
PESD3V3X1B, SM712, SP1014