ESDQR5V0BJ 是一款由 ON Semiconductor(安森美)生产的 TVS 二极管阵列,主要用于提供静电放电 (ESD) 和瞬态电压抑制保护。该器件采用小尺寸封装设计,适合在空间受限的应用中使用,同时具备低电容特性,使其非常适合高速数据线的保护需求。
ESDQR5V0BJ 提供双向保护功能,能够有效防止因静电放电或其他瞬态事件引起的损坏或干扰,从而提高系统的可靠性和稳定性。
工作电压:5V
击穿电压:6V
最大箝位电压:13.4V
峰值脉冲电流:23A
结电容:1pF
响应时间:<1ns
工作温度范围:-55℃ 至 +150℃
封装类型:SOT-23
ESDQR5V0BJ 具有以下显著特性:
1. 超低结电容(仅 1pF),确保其适用于高速信号线路。
2. 高度可靠的 ESD 保护能力,符合 IEC 61000-4-2 标准,可承受 ±30kV 的接触放电和 ±30kV 的空气放电。
3. 小型封装设计(SOT-23),节省电路板空间。
4. 双向保护结构,支持正负双向瞬态电压抑制。
5. 快速响应时间(小于 1ns),能迅速抑制瞬态电压,保护下游电路免受损害。
6. 工作温度范围广,适应各种环境条件下的应用。
ESDQR5V0BJ 广泛应用于需要高速信号保护的场合,包括但不限于以下领域:
1. USB 接口保护(USB 2.0、USB 3.0)。
2. HDMI、DisplayPort 等高速视频接口的保护。
3. 移动设备中的天线端口保护。
4. 工业控制设备中的通信端口保护(如 RS-232、RS-485)。
5. 消费类电子产品中的音频和视频信号线保护。
6. 汽车电子系统中的 CAN 总线和 LIN 总线保护。
ESDQR5V0BHT, ESDQR5V0BF