ESDL2011PFCT5G 是一款基于硅技术的双向静电放电 (ESD) 保护二极管阵列,设计用于保护高速数据线免受 ESD 和其他瞬态电压的损害。它适用于各种高速接口,如 USB、HDMI、以太网等。该器件具有极低的电容特性,可确保信号完整性,并且能够承受超过 IEC61000-4-2 国际标准所规定的最高接触放电电压。
这款二极管阵列采用了小型化的封装形式(如 DFN 封装),从而为设计者提供了节省空间的解决方案。此外,其快速响应时间能够有效地抑制瞬态电压尖峰,确保被保护电路的安全运行。
工作电压:±15kV(空气放电)/ ±8kV(接触放电)
最大箝位电压:17.4V
动态电阻:≤1Ω
负载电容:0.4pF(典型值)
反向漏电流:1μA(最大值,在 0V 偏置下)
响应时间:≤1ns
工作温度范围:-55℃ 至 +150℃
封装类型:DFN2010-2
ESDL2011PFCT5G 具有以下显著特点:
1. 极低的负载电容(0.4pF),适合高速数据线应用。
2. 快速响应时间(≤1ns),能有效抑制瞬态电压威胁。
3. 高级别的 ESD 防护能力,支持高达 ±15kV 的空气放电和 ±8kV 的接触放电。
4. 双向对称结构,简化了 PCB 布局设计。
5. 工作温度范围广(-55℃ 至 +150℃),适应恶劣环境下的应用需求。
6. 符合 RoHS 标准,绿色环保。
7. 节省空间的小型化封装,适合高密度电路板设计。
该器件主要应用于需要 ESD 防护的高速数据接口,包括但不限于以下领域:
1. USB 接口(USB 2.0、USB 3.0 等)。
2. HDMI 接口。
3. 以太网端口。
4. 移动设备中的射频线路保护。
5. 工业控制系统的通信链路防护。
6. 汽车电子中的 CAN 总线及其他数据传输线的保护。
7. 其他对高速信号完整性和可靠性要求较高的场景。
ESDA2LVT2BCT5G, PESD2V8S1BLCT, SM712