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ESDBW18VD3 发布时间 时间:2025/7/16 19:08:19 查看 阅读:10

ESDBW18VD3是一款由ON Semiconductor(安森美半导体)生产的静电放电(ESD)保护二极管阵列,专为高速数据线路和敏感电子设备提供高效、可靠的保护而设计。该器件采用先进的硅雪崩技术,能够快速响应并吸收高能量的静电放电,防止因ESD事件导致的系统故障或损坏。ESDBW18VD3封装在小型化的SOT-23-6封装中,适用于空间受限的应用场景。

参数

类型:ESD保护二极管阵列
  工作电压:18V
  反向关态电压(VRWM):18V
  最大钳位电压(VC @ IPP):28.5V @ 1A
  峰值脉冲电流(IPP):1A
  漏电流(IR):0.1μA(典型值)
  响应时间(tRESP):小于1ns
  封装形式:SOT-23-6

特性

ESDBW18VD3具备多项优异的电气特性和物理特性,使其成为高速接口和便携式设备的理想选择。
  首先,其低工作电压(18V)使其适用于广泛的低压应用,包括USB、HDMI、DisplayPort等高速接口,确保在正常工作条件下不影响信号完整性。同时,该器件的反向关态电压与工作电压一致,保证了在非导通状态下不会产生不必要的电流泄漏。
  其次,该ESD保护器的最大钳位电压为28.5V,在承受高达1A的峰值脉冲电流时仍能保持较低的钳位电压水平,从而有效降低对后级电路的压力,提高系统的抗扰能力。此外,ESDBW18VD3的漏电流仅为0.1μA(典型值),在待机状态下几乎不消耗额外功率,适合用于电池供电设备以延长续航时间。
  再者,该器件具有超快的响应时间(小于1纳秒),能够在静电放电事件发生的瞬间迅速启动保护机制,大幅减少对主芯片的冲击。其紧凑的SOT-23-6封装形式不仅节省PCB空间,还便于集成到现代电子产品中。
  综上所述,ESDBW18VD3以其低工作电压、低漏电流、快速响应时间和紧凑封装等特点,成为消费类电子、通信设备和工业控制系统中理想的ESD保护解决方案。

应用

ESDBW18VD3广泛应用于需要高水平静电放电保护的电子设备中,尤其是在高速数据传输接口方面。常见应用场景包括USB端口、HDMI连接器、DisplayPort接口、以太网控制器、智能手机和平板电脑的I/O端口,以及工业控制系统的通信接口等。通过使用ESDBW18VD3,这些设备可以在面对静电放电威胁时保持稳定运行,提升产品的可靠性和用户满意度。

替代型号

ESDA8V3-1, PESD18VF1BS

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