ESDBT4V5D3 时间：2025/5/24 19:07:39 阅读：23

ESDBT4V5D3 是一款高性能的双向 TVS (瞬态电压抑制器) 芯片，主要用于保护电路免受静电放电 (ESD)、雷击和其他瞬态过压事件的影响。该芯片采用先进的半导体制造工艺，具有低电容、快速响应和高浪涌能力的特点，广泛应用于消费电子、通信设备和工业控制领域。

参数

类型：双向TVS
　　额定电压：4.3V
　　最大反向工作电压：4.7V
　　峰值脉冲电流：60A
　　箝位电压：18.9V
　　结电容：0.2pF
　　响应时间：1ps
　　封装形式：SOD-323
　　工作温度范围：-55℃ 至 +150℃

特性

ESDBT4V5D3 具备以下主要特性：
　　1. 双向保护设计，适用于信号线路的对称性保护。
　　2. 极低的结电容（0.2pF），非常适合高速数据线保护。
　　3. 快速响应时间（1ps），能够有效抑制瞬态过压脉冲。
　　4. 高峰值脉冲电流承受能力（60A），确保在强浪涌环境下的可靠性。
　　5. 小型化封装（SOD-323），节省PCB空间，便于布局设计。
　　6. 宽泛的工作温度范围（-55℃ 至 +150℃），适应各种恶劣环境应用。

应用

ESDBT4V5D3 主要用于以下应用场景：
　　1. USB接口、HDMI接口等高速数据线的ESD保护。
　　2. 移动通信设备中的射频线路保护。
　　3. 工业自动化设备中的信号传输保护。
　　4. 汽车电子系统的瞬态过压防护。
　　5. 医疗设备中的敏感信号线路保护。
　　6. 物联网终端设备的数据接口保护。