ESDBS3V3AE1 是一款由安森美半导体(ON Semiconductor)生产的双向硅基瞬态电压抑制二极管(TVS),主要用于保护电子电路免受静电放电(ESD)、浪涌电压以及其他瞬态电压事件的损害。该器件具有快速响应时间和高可靠性,适用于对信号完整性要求较高的低电压应用场合。
工作电压:3.3V
最大反向工作电压(VRWM):3.3V
击穿电压(VBR):最小4.0V,典型4.3V,最大4.6V
钳位电压(VC):最大7.2V(在IPP=1A时)
峰值脉冲电流(IPP):1A(最大)
响应时间(tRESP):小于1纳秒(ns)
封装形式:SOD-923
工作温度范围:-55°C 至 150°C
ESDBS3V3AE1 的核心特性包括双向保护功能,能够在正负两个方向上提供电压钳位保护,适用于差分信号线和交流信号路径的保护。其快速响应时间确保了在瞬态事件发生时能迅速动作,将电压钳制在安全范围内,防止后级电路受到损坏。此外,该器件的漏电流非常低,在正常工作条件下对电路的影响极小。采用SOD-923小型封装,节省PCB空间,适合高密度电路设计。同时,该TVS具有良好的热稳定性和机械强度,适用于各种严苛环境下的长期稳定运行。
在电气性能方面,ESDBS3V3AE1 提供了精确的电压钳位能力,确保在过电压事件中将电压控制在安全水平。其最大钳位电压为7.2V,在1A的峰值脉冲电流下依然能保持较低的钳位电压,从而保护后级敏感元件,如微处理器、存储器、接口芯片等。此外,该器件的功率耐受能力较强,能够在短时间内吸收高能量瞬态脉冲,适合用于工业控制、通信设备、消费电子产品等多种应用场景。
由于其低电容特性(通常小于10pF),ESDBS3V3AE1 适用于高速信号线路的保护,例如USB、HDMI、以太网等接口,不会对信号完整性造成显著影响。这种低电容设计使得它在高频电路中也具有良好的兼容性。
ESDBS3V3AE1 主要用于各类电子设备中的电路保护,特别是在通信接口、便携式消费电子产品、工业控制系统、汽车电子、数据存储设备以及计算机外设等领域。典型应用包括保护USB 2.0/3.0接口、HDMI接口、以太网PHY接口、音频/视频输入输出端口、GPIO引脚、传感器信号线等关键电路节点。由于其小型封装和高性能特性,该器件在空间受限的设计中尤为受欢迎,广泛应用于智能手机、平板电脑、笔记本电脑、路由器、交换机、工业自动化设备等产品中。
ESD5Z3V3U、PESD3V3U2HC、NUP3V3AH