IXSH24N60A 时间：2025/9/12 12:34:55 阅读：17

IXSH24N60A是一款由IXYS公司生产的N沟道功率MOSFET，广泛应用于各种电源管理和功率转换电路中。该MOSFET具有低导通电阻、高耐压能力以及优良的热性能，适合用于开关电源（SMPS）、电机控制、DC-DC转换器以及电池管理系统等应用场景。IXSH24N60A采用TO-247封装，具备良好的散热性能，能够承受较高的工作电流和电压。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(Vds)：600V
　　栅源电压(Vgs)：±20V
　　连续漏极电流(Id)：24A
　　导通电阻(Rds(on))：0.25Ω（最大值）
　　功率耗散(Pd)：200W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：TO-247

特性

IXSH24N60A的主要特性之一是其高耐压能力，漏源电压额定值为600V，使其适用于高压电源转换系统。此外，该器件具有较低的导通电阻（Rds(on)）最大为0.25Ω，这有助于降低导通损耗，提高整体系统效率。
　　该MOSFET采用先进的平面技术制造，提供了良好的热稳定性和可靠性，能够在高温度环境下稳定工作。其TO-247封装形式不仅提供了良好的散热性能，还便于安装和使用。
　　IXSH24N60A具备快速开关能力，适合用于高频开关应用。栅极电荷较低，有助于减少开关损耗，提高系统的响应速度。此外，该器件的栅源电压范围为±20V，使其在驱动电路设计上具有较高的灵活性。
　　在安全性方面，该MOSFET具有较高的雪崩能量耐受能力，能够在瞬态过压条件下提供一定程度的保护，从而提高系统的稳定性。同时，其热阻较低，确保在高负载条件下也能有效散热，防止热失效。

应用

IXSH24N60A广泛应用于各种高功率电子设备中，例如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、逆变器和电机驱动器。其高耐压和大电流能力使其成为工业电源、UPS（不间断电源）系统以及新能源设备（如太阳能逆变器）中的理想选择。
　　在家电领域，该MOSFET可用于电磁炉、变频空调等高功率电器的电源控制模块。在电动车和电池管理系统中，IXSH24N60A可用于电池充放电控制和能量转换电路。
　　此外，该器件也适用于LED照明驱动电源、工业自动化设备、电焊机以及各种需要高效功率控制的场合。其优异的导通特性和热稳定性，使其在高效率和高可靠性要求的应用中表现出色。