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ESDBL8V0D3 发布时间 时间:2025/8/16 15:05:15 查看 阅读:17

ESDBL8V0D3是一款由安森美半导体(onsemi)推出的静电放电(ESD)保护二极管,专为高速数据线路和敏感电子设备设计。该器件主要用于吸收和抑制因静电放电、电快速瞬变脉冲群(EFT)或其他瞬态电压引起的过电压,从而保护下游的集成电路免受损坏。ESDBL8V0D3采用先进的硅雪崩技术,具有较低的击穿电压和快速响应时间,适用于USB、HDMI、以太网等接口的ESD防护。该器件采用紧凑的SOD-323封装,适合在空间受限的便携式电子设备中使用。

参数

类型:双向ESD保护二极管
  工作电压:8.0V
  最大反向关态电压(VRWM):8.0V
  击穿电压(VBR):最小9.0V,典型值9.5V,最大10.5V
  钳位电压(VC):16.4V(在Ipp=1A时)
  峰值脉冲电流(Ipp):1A
  响应时间(tRESP):小于1ns
  封装形式:SOD-323
  工作温度范围:-55°C至+150°C
  存储温度范围:-55°C至+150°C

特性

ESDBL8V0D3的核心特性之一是其双向保护功能,使其能够适用于交流或对称信号线路的ESD保护。该器件具有极低的漏电流,在正常工作条件下通常低于100nA,确保不会对正常信号传输造成干扰。其快速响应时间确保在静电放电事件发生时能够迅速导通,将有害的瞬态能量引离被保护器件。此外,该器件的钳位电压相对较低,在承受1A峰值脉冲电流时仅16.4V,有助于减少对下游电路的压力。ESDBL8V0D3的结构设计确保其能够在多次ESD冲击下保持稳定性能,符合IEC 61000-4-2标准中对ESD保护器件的要求。其SOD-323封装形式不仅节省空间,还便于自动化贴片生产,适合高密度PCB布局。
  在可靠性方面,ESDBL8V0D3具有良好的热稳定性和长期工作稳定性,能够在恶劣环境中保持一致的保护性能。其材料符合RoHS标准,适用于环保要求较高的电子产品。该器件的双向特性使其特别适用于差分信号线,如USB 2.0、HDMI和以太网线路的保护。此外,由于其较低的电容值(通常为15pF),该器件对高频信号的传输影响极小,适合用于高速数据通信接口的保护应用。

应用

ESDBL8V0D3广泛应用于各种需要ESD保护的电子设备中,尤其适合用于高速数据接口的防护。典型应用包括USB 2.0和USB 3.0接口、HDMI接口、以太网端口、VGA接口、音频/视频输入输出端口等。在便携式电子产品中,如智能手机、平板电脑、笔记本电脑和数码相机中,该器件可有效保护敏感的模拟和数字电路免受用户操作过程中可能产生的静电放电影响。此外,该器件也可用于工业控制系统、通信设备、消费类电子产品和汽车电子模块中,为关键电路提供可靠的瞬态电压抑制保护。

替代型号

ESD3V3D1BT1G、PESD24V1BT1G、ESDA8V1BD

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