您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > ESD9N5BU

ESD9N5BU 发布时间 时间:2025/5/8 12:50:37 查看 阅读:11

ESD9N5BU 是一款基于硅雪崩技术的低电容瞬态电压抑制器(TVS),专为高速信号线提供静电放电(ESD)保护而设计。该器件具有极低的负载电容,非常适合用于高速数据接口和射频线路的保护,如 USB、HDMI、以太网等。其单向保护特性使其特别适用于需要防止负向浪涌的应用场景。

参数

工作电压:5V
  击穿电压:6.8V
  最大箝位电压:13V
  峰值脉冲电流:1A
  负载电容:0.2pF
  响应时间:<1ns
  封装:SOD-323

特性

ESD9N5BU 的主要特性包括:
  1. 极低的负载电容 (0.2pF),确保对高速信号的影响最小化。
  2. 快速响应时间 (<1ns),能够迅速抑制瞬态电压尖峰。
  3. 单向保护结构,适合防止负向浪涌的应用环境。
  4. 符合 IEC 61000-4-2 标准,支持高达 ±15kV(空气放电)和 ±8kV(接触放电)的 ESD 保护能力。
  5. 小型 SOD-323 封装,节省 PCB 空间并易于安装。
  6. 工作温度范围广 (-55°C 至 +150°C),适应各种恶劣环境。

应用

ESD9N5BU 广泛应用于需要高速信号保护的场合,例如:
  1. USB 2.0/3.0 数据线保护。
  2. HDMI 和 DisplayPort 接口保护。
  3. 以太网 PHY 和其他高速通信线路的 ESD 防护。
  4. 移动设备中的射频前端保护。
  5. 汽车电子系统中 CAN/LIN 总线的 ESD 抑制。
  6. 工业自动化设备中的传感器信号线保护。

替代型号

ESD9L5BUT,GND1N5BU

ESD9N5BU推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价