时间：2025/6/30 11:37:56
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ESD8D7.0C-S10T 是一款基于硅氧化物工艺制造的低电容ESD（静电放电）保护二极管阵列，广泛用于高速数据线和射频信号线的静电防护。该器件提供出色的瞬态抑制能力，并具有非常低的负载电容以确保不会影响高速信号的完整性。
其设计目标是为 USB、HDMI、DisplayPort 等高速接口提供高效的 ESD 防护功能，同时保持信号完整性和低插入损耗。ESD8D7.0C-S10T 支持多路通道保护，适用于各种消费类电子设备和工业应用。
工作电压：±7V
最大钳位电压：12V
动态电阻：≤1Ω
电容：0.35pF
响应时间：≤1ns
封装形式：SOT-363 (SC-88)
ESD8D7.0C-S10T 提供了卓越的 ESD 防护性能，能够在 ±8kV 接触放电和 ±15kV 空气放电条件下满足 IEC61000-4-2 标准的要求。
该器件具有极低的负载电容（0.35pF），使其非常适合用于高频信号线路的保护，不会显著影响信号质量。
此外，它还采用了小尺寸 SOT-363 封装，便于在空间受限的应用中使用。
ESD8D7.0C-S10T 的典型应用场景包括高速数据接口如 HDMI、USB 以及射频电路等，能够有效防止因静电放电导致的系统故障或损坏。
该器件适用于多种需要高速信号保护的场合，例如：
1. HDMI、DP（DisplayPort）、USB 数据线的静电防护。
2. 移动设备中的射频前端保护。
3. 工业控制系统的通信接口保护。
4. 消费电子产品中的音频/视频传输线路保护。
由于其紧凑的封装和低电容特性，ESD8D7.0C-S10T 成为了现代电子设备中理想的 ESD 防护解决方案。
ESD8D7.0C-S10T-A, PESD8V0R1BMA
