时间：2025/7/9 1:52:25
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RF15N1R8B500CT 是一款氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)，专为高频和高功率射频应用设计。该器件采用先进的 GaN 技术，能够提供更高的效率功率处理能力，适用于基站、雷达、卫星通信等领域的高性能射频放大器。
RF15N1R8B500CT 的封装形式通常为行业标准的表面贴装类型，便于自动化生产，并且具有出色的散热性能，确保在高功率工作条件下的稳定性和可靠性。
最大漏源电压：150V
击穿电压：150V
漏极饱和电流：12A
输出功率：50W
增益：10dB
频率范围：0.1GHz 至 6GHz
栅极电荷：25nC
热阻：0.5°C/W
封装形式：SMD
RF15N1R8B500CT 具备高功率密度和高效率，得益于其 GaN 材料的优异性能。这种材料提供了比传统硅基器件更高的电子迁移率和击穿场强，使得器件能够在更高的频率和功率下运行。
此外，该器件的低栅极电荷和寄生电容有助于减少开关损耗，从而提高整体效率。RF15N1R8B500CT 的宽频带支持使其非常适合多种射频应用，同时其紧凑的封装设计也方便系统集成。
该器件还具备优秀的线性度和稳定性，在温度变化范围内保持一致的性能表现。其卓越的散热能力进一步增强了长期使用的可靠性。
RF15N1R8B500CT 广泛应用于无线通信基础设施，例如 4G/5器模块。此外，它也可用于航空航天和国防领域，如相控阵雷达和卫星通信系统的射频前端。
由于其高频和高功率能力，该器件还可用于工业、科学和医疗 (ISM) 应用，例如等离子体发生器和微波加热设备。同时，其在点对点微波链路和测试测量仪器中的使用也越来越广泛。
RF15N1R8B300CT
RF15N1R8A500CT
RF15N1R8C300CT
