ESD83.3C-S10T 是一款基于硅技术的瞬态电压抑制器 (TVS),专为保护高速数据线和信号线免受静电放电 (ESD) 和其他瞬态电压脉冲的损害而设计。该器件具有极低的电容特性,能够确保在高频应用中不会对信号完整性产生显著影响。
ESD83.3C-S10T 的封装形式为 SOT-23 封装,适用于空间受限的设计环境。其单向极性使其非常适合于需要特定方向保护的应用场景。
工作电压:3.3V
峰值脉冲电流:±6A
箝位电压:5.5V
响应时间:小于等于1ps
结电容:0.3pF
漏电流:1μA(最大值,在25°C下)
工作温度范围:-40°C至+85°C
封装类型:SOT-23
ESD83.3C-S10T 提供了以下关键特性:
1. 极低的结电容(0.3pF),适合用于高速数据线路。
2. 快速响应时间(小于等于1ps),能够迅速抑制瞬态电压脉冲。
3. 高度可靠的 ESD 保护性能,符合 IEC 61000-4-2 标准,可承受±15kV 接触放电和±15kV 空气放电。
4. 单向极性设计,提供定向保护功能。
5. 小型化的 SOT-23 封装,节省电路板空间。
6. 宽工作温度范围,能够在极端环境下保持稳定性能。
该器件广泛应用于需要高速、高可靠性保护的各种电子系统中,包括但不限于:
1. USB、HDMI、DisplayPort 等高速接口的 ESD 保护。
2. 移动设备中的射频前端保护,如智能手机、平板电脑。
3. 工业自动化设备中的信号线保护。
4. 汽车电子系统中的数据总线保护,如 CAN 总线或 LIN 总线。
5. 通信设备中的高速数据传输线路保护。
ESD83.3B-S10T, ESD83.3C-D10U