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ESD11N5VA 发布时间 时间:2025/5/30 11:33:43 查看 阅读:8

ESD11N5VA是一种专为高静电防护设计的瞬态电压抑制(TVS)二极管阵列,主要用于保护电子设备免受静电放电(ESD)、电气快速瞬变(EFT)和其他瞬态电压的影响。该器件采用了先进的半导体工艺制造,具有低电容、低漏电流和快速响应时间的特点,能够有效保护数据线、信号线和电源线等敏感电路。

参数

工作电压:5V
  峰值脉冲电流:±15A
  箝位电压:7.6V
  结电容:3pF
  响应时间:1ps
  漏电流:1μA(最大值)
  封装形式:SOT-23

特性

ESD11N5VA具有以下显著特性:
  1. 极低的结电容(3pF),适合高速信号线路的保护。
  2. 快速的响应时间(1ps),能够在瞬间对瞬态电压进行有效的抑制。
  3. 高度可靠的ESD防护能力,符合IEC 61000-4-2标准(接触放电±15kV,空气放电±8kV)。
  4. 小型化的SOT-23封装,节省PCB空间,便于表面贴装。
  5. 工作电压稳定,适用于多种常见的接口电路(如USB、HDMI、以太网等)。
  6. 符合RoHS标准,环保无铅。

应用

ESD11N5VA广泛应用于各种消费类电子产品、通信设备和工业控制系统的电路保护中。典型应用场景包括:
  1. USB接口保护(如USB 2.0/3.0数据线)。
  2. HDMI、DisplayPort等高速视频接口保护。
  3. 以太网接口保护。
  4. 移动设备(智能手机、平板电脑等)中的射频电路保护。
  5. 工业自动化设备中的信号线路保护。
  6. 汽车电子系统中的CAN总线或其他敏感电路的保护。

替代型号

ESD11N5V,SMS11N5VA,TPD1E05U006

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