时间：2025/7/10 7:15:52
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ESD115.0-S10T 是一款基于硅技术的低电容 TVS（瞬态电压抑制器）二极管阵列，专门设计用于保护高速数据线免受静电放电 (ESD) 和其他瞬态过压事件的影响。该器件具有超低电容特性，适合高速信号线路的应用场景，能够确保信号完整性的同时提供强大的 ESD 保护性能。
其封装形式为 SOT-23 小型表面贴装封装，适用于高密度电路板设计。
工作电压：±15kV（空气放电），±8kV（接触放电）
最大钳位电压：26V
动态电阻：≤1Ω
电容：0.3pF
响应时间：＜1ns
峰值脉冲电流：4A（8/20μs波形）
工作温度范围：-40℃ 至 +85℃
ESD115.0-S10T 提供了出色的 ESD 保护能力，同时具备以下关键特性：
1. 超低电容设计（仅 0.3pF），非常适合高速数据接口。
2. 快速响应时间（＜1ns），能够在瞬态事件发生时迅速抑制过压，从而保护敏感的下游电子组件。
3. 高度可靠的硅基 TVS 技术，能够承受多次重复的 ESD 冲击而不损坏。
4. 符合 IEC 61000-4-2 标准，支持高达 ±15kV 的空气放电和 ±8kV 的接触放电防护。
5. 小型化封装（SOT-23），节省 PCB 空间，便于在紧凑型设计中使用。
6. 宽泛的工作温度范围（-40℃ 至 +85℃），使其适合各种环境条件下的应用。
这款 TVS 二极管阵列广泛应用于需要高速信号传输且对 ESD 敏感的场景，包括但不限于：
1. USB 2.0/3.0 数据线保护。
2. HDMI、DisplayPort 和其他高速视频接口的 ESD 保护。
3. 以太网端口的过压保护。
4. 移动设备中的射频前端保护。
5. 工业自动化系统中的通信总线保护。
6. 汽车电子中的 CAN/LIN 总线保护。
ESD115.0-S10T-DIODES, SM712, PESD1CAN-TB
