时间：2025/9/6 5:51:20
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ES640CF5 是一款由 Everspin Technologies 生产的非易失性 MRAM（磁阻式随机存取存储器）芯片。MRAM 是一种利用磁性存储数据的技术，相比传统的 DRAM 或 Flash，它具有更高的读写速度、更低的功耗以及无限次的写入耐久性。ES640CF5 属于 Everspin 的第二代 64Mb MRAM 系列产品，采用 54 引脚陶瓷封装，适用于需要高可靠性和高性能的工业、汽车和航空航天应用。
容量：64Mb
接口类型：异步SRAM兼容接口
工作电压：2.3V - 3.6V
最大访问时间：55ns
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
封装类型：54引脚陶瓷扁平封装（CFP）
写入耐久性：无限次
数据保持时间：大于20年
ES640CF5 的核心优势在于其基于磁阻效应的存储技术，使其具备非易失性与高速读写能力的双重优点。与传统的 Flash 存储器相比，它不需要写入前进行擦除操作，从而显著提升了写入速度和效率。此外，该芯片支持在断电情况下数据保持超过 20 年，确保了数据的长期可靠性。
该芯片的异步 SRAM 接口设计使其可以直接替代传统的 SRAM 或 Flash 存储器，而无需额外的控制器或电路修改。这使得其在系统升级或替换设计中具有很高的灵活性。此外，其宽温范围（-40°C 至 +85°C）和高抗辐射能力，使其非常适合用于工业控制、网络设备、智能卡验证、医疗设备以及汽车电子系统等对环境适应性要求较高的场景。
由于 MRAM 技术的物理特性，ES640CF5 不仅具有极高的写入耐久性（理论上无限次），还具备低功耗运行能力，特别是在待机模式下电流消耗极低，适用于需要频繁写入和节能的应用。
ES640CF5 被广泛应用于需要高速、高可靠性和非易失性存储的多个领域。典型应用包括嵌入式系统中的程序存储和数据缓存、工业控制设备中的配置存储、网络路由器和交换机中的日志记录、智能电表的数据存储、医疗设备中的关键数据保存以及汽车电子系统中的实时数据记录等。
此外，该芯片也适用于需要防篡改保护的系统，例如安全认证设备、军事通信设备和航空航天系统中的关键数据存储。其无需电池供电即可实现非易失性的特点，使其成为替代传统 SRAM + 锂电池方案的理想选择，从而减少了系统复杂性和维护成本。
MR48VZ064A, ST-MRAM-64Mb
