SVT2080U 是一款功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),通常用于高电压和高电流的应用。该器件具备低导通电阻、高耐压和良好的热性能,适用于电源管理、电机控制、DC-DC转换器以及负载开关等场景。SVT2080U 采用先进的工艺制造,以确保在恶劣环境下也能稳定运行。
类型:N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds):80V
最大栅源电压(Vgs):±20V
最大连续漏极电流(Id):200A
导通电阻(Rds(on)):典型值为 1.8mΩ
工作温度范围:-55°C 至 175°C
封装类型:TO-263(D2PAK)
功率耗散(Pd):320W
SVT2080U MOSFET 的主要特性之一是其低导通电阻,这有助于减少导通状态下的功率损耗,提高系统效率。此外,该器件具备较高的电流承载能力,能够在高负载条件下稳定工作。
该MOSFET采用了先进的沟槽技术,优化了电流传导路径,同时减少了寄生电容,从而提高了开关性能。这种设计使得 SVT2080U 在高频开关应用中表现出色,例如在同步整流、DC-DC转换器或电机驱动器中。
此外,SVT2080U 具有良好的热管理特性,得益于其高功率耗散能力和优化的封装设计,能够有效将热量传导至散热器或PCB板,避免因过热而导致的性能下降或失效。
该器件还具备较强的抗雪崩能力,能够在瞬态过压或负载突变的情况下保持稳定,提高了整体系统的可靠性和耐用性。SVT2080U 的栅极驱动电压范围较宽,支持常见的10V至15V驱动信号,便于与多种控制器或驱动IC配合使用。
SVT2080U MOSFET 主要应用于需要高电流和高效率的功率电子系统中,如电动汽车的电机控制器、工业自动化设备、大功率电源模块、电池管理系统(BMS)以及DC-DC升压/降压转换器等。
在电动汽车领域,SVT2080U 可用于主驱逆变器或车载充电系统,以实现高效能量转换和稳定输出。在工业设备中,它可作为大电流开关元件,用于伺服电机控制或不间断电源(UPS)系统。
此外,SVT2080U 也常用于高功率LED照明驱动、太阳能逆变器以及服务器和通信设备的电源管理模块,以满足高可靠性、高效率和紧凑型设计的需求。
IRF3205, SiR882DP, STB18NF50, FDP2080