时间：2025/7/11 14:59:58
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ES36NC5M是一款高性能的N沟道增强型场效应晶体管（MOSFET），主要用于开关和功率转换应用。该器件具有低导通电阻、高击穿电压和快速开关速度等特点，适合于各种电源管理电路，例如DC-DC转换器、电机驱动和负载开关等。ES36NC5M采用了先进的制造工艺，在确保高效性能的同时也提供了良好的热稳定性。
型号：ES36NC5M
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源极击穿电压（Vds）：60V
栅源极击穿电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：5.6A
导通电阻（Rds(on)）：45mΩ（典型值，在Vgs=10V时）
总功耗（Ptot）：1.1W
工作温度范围：-55℃至+150℃
封装形式：SOT-23
ES36NC5M具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻，可以有效减少功率损耗并提高系统效率。
2. 高速开关能力，使得它非常适合高频开关应用。
3. 出色的热稳定性和可靠性，能够在恶劣的工作条件下长期运行。
4. 小型化的SOT-23封装，节省了PCB空间，适合紧凑型设计。
5. 宽泛的工作温度范围，确保在极端环境下的正常操作。
6. 提供了精确的栅极阈值电压，便于优化驱动电路设计。
ES36NC5M广泛应用于多种领域：
1. 各类开关模式电源（SMPS）中的同步整流和降压/升压转换。
2. 手机和平板电脑等便携式设备中的负载开关。
3. LED驱动器中的电流调节和保护。
4. 电池管理系统（BMS）中的充放电控制。
5. 小型电机驱动和电子调速控制器。
6. 电信设备和消费类电子产品中的功率管理单元。
NTNS3652P
DMN2987UF
BSS138
