类型：肖特基二极管
　　封装/外壳：SOD-323
　　反向重复峰值电压（VRRM）：20V
　　平均整流电流（IO）：200mA
　　正向压降（VF）：最大0.45V @ 10mA，典型值0.3V @ 10mA
　　最大正向浪涌电流（IFSM）：8A
　　反向漏电流（IR）：最大10μA @ 20V，25°C
　　工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +125°C
　　储存温度范围（TSTG）：-55°C 至 +150°C
　　热阻（RθJA）：约450°C/W（取决于PCB布局）
　　反向恢复时间（trr）：典型值小于1ns

ES2DG肖特基二极管的核心优势在于其极低的正向导通压降和超快的开关速度，这使其在低电压、高效率的应用中表现尤为突出。由于其基于金属-半导体接触形成的肖特基势垒结构，不存在PN结中的少子存储效应，因此在从导通状态切换到截止状态时几乎无反向恢复电荷，显著减少了开关过程中的能量损耗。这种特性特别适合用于高频开关电源、DC-DC转换器以及电池供电系统中，有助于提升整体能效并降低发热。
　　该器件的正向压降在小电流下可低至0.3V左右，相比传统硅二极管（通常为0.6~0.7V），能够有效减少功率损耗，提高电源转换效率。同时，尽管其额定平均整流电流为200mA，但在瞬态条件下可承受高达8A的峰值浪涌电流，展现出较强的抗冲击能力，适合应对突发性电流波动或启动瞬间的大电流需求。
　　ES2DG的SOD-323封装不仅体积小巧，便于实现高密度贴装，而且具有良好的散热性能，通过合理设计PCB焊盘可以有效改善热传导路径，延长器件寿命。此外，该器件对环境湿度和机械应力具有较高的耐受性，符合RoHS指令要求，支持无铅回流焊接工艺，适用于自动化贴片生产线。
　　在可靠性方面，ES2DG经过严格的质量控制流程，具备优异的长期稳定性与批次一致性，能够在-55°C至+125°C的结温范围内稳定运行，适应各种严苛的工作环境。其反向漏电流在常温下仅为几微安级别，虽然随着温度升高会有所增加，但仍处于可接受范围之内，不会显著影响大多数应用场景下的性能表现。

ES2DG肖特基二极管广泛应用于各类需要小型化、高效率和快速响应的电子设备中。常见用途包括便携式消费电子产品中的电源轨隔离与防反接保护，例如在USB接口、锂电池充放电管理电路中防止电流倒灌；在DC-DC升压或降压转换器中作为续流二极管使用，利用其低正向压降特性减少能量损失，提升转换效率；在高频整流电路中替代传统整流二极管，以获得更快的响应速度和更低的功耗。
　　此外，该器件也常用于信号整流与检波电路，特别是在射频前端模块或无线通信设备中处理低幅值交流信号时，凭借其低开启电压和快速响应能力，能够更精确地还原原始信号。在嵌入式系统和微控制器单元（MCU）外围电路中，ES2DG可用于电源多路选择、电压钳位及静电放电（ESD）防护等辅助功能，增强系统鲁棒性。
　　由于其表面贴装封装形式，ES2DG非常适合自动化生产和回流焊工艺，广泛应用于智能手机、可穿戴设备、智能家居模块、蓝牙耳机、物联网传感器节点等对空间和功耗高度敏感的产品中。同时，因其具备一定的浪涌承受能力，也可用于工业控制板卡、汽车电子中的低功率保护电路，提供可靠的单向导电功能。

SS14
　　RB751V40T1G
　　BAS70-04