ERZVF2M241 时间：2025/7/17 19:16:15 阅读：5

ERZVF2M241 是一款由东芝（Toshiba）生产的功率MOSFET器件，属于N沟道增强型场效应晶体管。该器件专为高效率、高频开关应用而设计，广泛应用于DC-DC转换器、电源管理模块以及各类消费类电子设备中。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（VDS）：20V
　　栅源电压（VGS）：±8V
　　连续漏极电流（ID）：6A
　　导通电阻（RDS(on)）：24mΩ @ VGS=4.5V
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：DFN1006-6

特性

ERZVF2M241 具备低导通电阻的特性，使其在导通状态下具有较低的功率损耗，有助于提高系统的整体效率。
　　此外，该MOSFET采用小型DFN1006-6封装，具有良好的热性能和空间利用率，非常适合对体积敏感的应用场景。
　　该器件还具备快速开关能力，适用于高频操作环境，进一步减小外围电路的尺寸并提升响应速度。
　　由于其优化的晶圆结构，ERZVF2M241 在高温下依然能保持稳定的工作状态，增强了系统的可靠性和耐用性。
　　该MOSFET符合RoHS环保标准，不含铅和其他有害物质，适合绿色环保电子产品的需求。

应用

ERZVF2M241 常用于各种便携式电子设备中的电源管理系统，如智能手机、平板电脑、笔记本电脑等。
　　它也广泛应用于DC-DC转换器、负载开关、电池充电电路及同步整流器等场景。
　　此外，在LED背光驱动、电机控制以及微型逆变器等领域也有着较高的应用价值。
　　由于其紧凑的封装和优异的电气性能，该MOSFET也适用于高性能服务器、通信设备和工业自动化控制系统中的高效电源模块。