标称电容：220 pF
　　容差：±5%
　　额定电压：50 V
　　介质材料：C0G/NP0
　　封装尺寸：0805（英制）/2012（公制）
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　温度系数：0 ±30 ppm/°C
　　绝缘电阻：10000 MΩ min.
　　额定电流：无极性，无额定电流参数
　　损耗角正切（tanδ）：≤ 0.15%
　　电极材料：镍/锡（Ni/Sn）

ERZ-U22JP132F 作为一款基于C0G/NP0介质的多层陶瓷电容器，具有优异的温度稳定性，其电容值随温度变化非常小，适用于对频率稳定性要求极高的射频和振荡电路。
　　该器件采用了村田制造的高精度陶瓷材料和电极堆叠工艺，确保了在宽温度范围内的电气性能稳定，并且具备出色的高频特性，可有效减少信号路径中的寄生效应。
　　此外，ERZ-U22JP132F 具有低等效串联电阻（ESR）和低等效串联电感（ESL），使其在高频下依然能保持良好的性能，适用于去耦、滤波和信号耦合等应用。
　　由于其采用的是无极性设计，因此在电路中可以双向使用，避免了极性连接错误的风险。
　　该器件还具有良好的机械强度和焊接可靠性，适用于自动化SMT贴片工艺，适合大规模工业生产应用。

ERZ-U22JP132F 主要应用于对稳定性、精度和高频特性要求较高的电子系统中，例如射频收发模块、无线通信设备、滤波器与匹配网络、振荡器、定时电路、高精度模拟电路、医疗电子设备、工业控制设备、测试与测量仪器等。
　　在射频电路中，它常用于LC谐振回路、天线匹配网络和滤波器设计，以确保频率的高稳定性。
　　在振荡器设计中，因其低温度系数和低损耗特性，常用于提供高精度的时钟信号。
　　此外，该电容器也可用于高精度的模拟滤波器、运算放大器反馈电路以及信号路径中的耦合或旁路电容，确保信号的完整性与稳定性。

GRM21BR71H221KA01L（村田）、C220C221K5RACTU（KEMET）、CL21B221KBANNNC（三星）、C0805C221K5RACTU（Avx）