时间：2025/8/14 17:25:57
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ER1B T/R 是由日本Toshiba（东芝）公司生产的一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高频开关和功率放大应用。该器件采用小型SOT-23（SC-59）封装，适用于便携式设备、射频（RF）模块、DC-DC转换器以及各种低电压高频率开关电路中。由于其优异的导通电阻和开关特性，ER1B T/R 在低功耗设计中具有较高的性能表现。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压（VDS）：20V
最大栅源电压（VGS）：±12V
最大连续漏极电流（ID）：100mA
导通电阻（RDS(on)）：3.5Ω（典型值）
栅极电荷（Qg）：3.5nC
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装类型：SOT-23（SC-59）
ER1B T/R MOSFET具有低导通电阻和快速开关响应的特性，非常适合用于高频开关应用。
其SOT-23封装结构小巧，便于在空间受限的PCB布局中使用。
该器件的工作电压较低，适合用于3.3V至5V供电系统中的开关控制。
ER1B T/R具有良好的热稳定性和抗静电能力，能够在较高温度环境下稳定运行。
此外，其低栅极电荷特性有助于减少开关损耗，提高整体能效。
这款MOSFET还具有较高的可靠性，广泛应用于消费电子、工业控制和通信设备中。
ER1B T/R 主要用于以下类型的应用：
高频DC-DC转换器和稳压电路中作为开关元件。
射频（RF）模块中的信号切换和放大电路。
便携式电子产品如智能手机、平板电脑中的电源管理单元。
低电压马达驱动、LED背光控制等小功率开关电路。
作为逻辑电平转换器或信号开关在数字电路中使用。
在电池供电系统中实现节能设计，优化功耗表现。
2N7002, BSS138, 2N3904
