型号：EPZ1005D100-3R1T
　　制造商：EPC (Efficient Power Conversion Corporation)
　　器件类型：增强型氮化镓场效应晶体管 (eGaN FET)
　　最大漏源电压（VDS）：100 V
　　连续漏极电流（ID）@25°C：6.8 A
　　脉冲漏极电流（IDM）：27 A
　　导通电阻（RDS(on)）@VGS=5V：3.1 Ω
　　阈值电压（Vth）：典型值1.4 V，范围1.1~1.7 V
　　输入电容（Ciss）：典型值92 pF
　　输出电容（Coss）：典型值32 pF
　　反向恢复电荷（Qrr）：0 C（无体二极管反向恢复）
　　栅极电荷（Qg）：典型值2.4 nC
　　工作结温范围（Tj）：-40°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：1.0mm x 0.5mm 芯片级封装 (CSP)
　　安装方式：表面贴装 (SMD)
　　引脚数：2（源极共源配置）

EPZ1005D100-3R1T基于EPC独有的增强型氮化镓（eGaN）工艺技术，实现了远超传统硅MOSFET的电气性能。其核心优势在于极低的导通电阻与寄生参数，使得在高频开关条件下仍能保持极低的传导和开关损耗。该器件的RDS(on)仅为3.1Ω，在100V耐压等级下提供了卓越的电流处理能力，同时由于采用了垂直结构的GaN-on-Si技术，避免了硅基HEMT常见的电流崩塌问题，确保长期运行稳定性。
　　该器件的一个关键特性是其零反向恢复电荷（Qrr = 0），因为氮化镓FET不依赖于PN结体二极管进行续流，而是通过二维电子气（2DEG）实现双向导通。这极大地减少了在硬开关或同步整流应用中的能量损耗，提升了转换效率，并有效抑制了电磁干扰（EMI）。此外，极低的输入和输出电容（Ciss和Coss）使其能够在MHz级别的开关频率下高效工作，适用于先进数字电源、多相VRM和包络跟踪电源等高频拓扑。
　　EPZ1005D100-3R1T采用无封装的芯片级设计，大幅减小了寄生电感和热阻，增强了散热性能。这种紧凑结构不仅节省PCB空间，还提升了功率密度。器件支持直接焊接到PCB或集成到模块中，适用于自动化贴片生产流程。其增强型设计意味着在栅极电压为0V时器件处于关闭状态，符合工业安全标准，无需负压关断或复杂驱动电路，可直接与标准CMOS或LDO逻辑电平兼容驱动IC配合使用。
　　该器件经过严格的质量认证和可靠性测试，包括高温反向偏压（HTRB）、高温栅极偏压（HTGB）和功率循环测试，确保在严苛环境下的长期稳定性。其宽泛的工作结温范围（-40°C至+150°C）使其适用于汽车电子、工业控制和户外设备等高温应用场景。总体而言，EPZ1005D100-3R1T代表了当前宽禁带半导体技术的前沿水平，为下一代高效、小型化电源系统提供了理想解决方案。

EPZ1005D100-3R1T广泛应用于需要高效率、高频开关和小尺寸封装的现代电力电子系统。其主要应用场景包括高性能DC-DC降压/升压变换器，特别是在服务器、数据中心和通信设备中的多相电压调节模块（VRM），能够显著提升能效并缩小电源体积。在便携式电子产品如笔记本电脑、平板电脑和智能手机的电源管理单元中，该器件可用于实现高密度、低功耗的同步整流拓扑，延长电池续航时间。
　　在无线充电系统中，EPZ1005D100-3R1T凭借其快速开关能力和低损耗特性，适用于谐振逆变器拓扑（如WPT Qi标准），提高能量传输效率并减少发热。在LED照明驱动领域，尤其是高亮度LED和汽车照明应用中，该器件可用于构建高效的恒流驱动电路，实现精准调光和长寿命运行。
　　此外，该器件也适用于射频功率放大器的包络跟踪（Envelope Tracking）电源，动态调节供电电压以匹配信号包络，从而大幅提升PA效率。在激光二极管驱动、LiDAR系统和脉冲电源中，EPZ1005D100-3R1T的快速响应能力和高电流能力可实现精确的纳秒级脉冲控制。在电动汽车和工业电机驱动系统中，该器件可用于辅助电源、车载充电器（OBC）和DC-DC转换器，满足高可靠性与高温运行需求。其优异的热性能和小型化特点也使其成为无人机、机器人和可穿戴设备等新兴领域的理想选择。

EPC2052
　　EPC2045
　　GSC065-10N