EPH1R8030 时间：2025/12/25 5:30:25 阅读：16

EPH1R8030 是一款由 Littelfuse 生产的 P 沟道功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高电流和高效率应用而设计。该器件采用先进的沟槽式 MOSFET 技术，具有低导通电阻、高功率密度和良好的热性能，适用于各种电源管理和功率转换应用。EPH1R8030 通常采用 TO-252（DPAK）封装，适用于表面贴装，便于在 PCB 上安装。

参数

类型：P 沟道 MOSFET
　　漏源电压 Vds：-30V
　　栅源电压 Vgs：±20V
　　连续漏极电流 Id：-80A
　　导通电阻 Rds(on)：1.8mΩ @ Vgs = -10V
　　导通电阻 Rds(on)：2.3mΩ @ Vgs = -4.5V
　　功率耗散 Pd：140W
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装：TO-252（DPAK）

特性

EPH1R8030 MOSFET 具有极低的导通电阻（Rds(on)），可显著降低导通损耗，提高系统效率。该器件采用了先进的沟槽式 MOSFET 技术，提供了优异的电流处理能力和热性能。其高功率密度和紧凑的 TO-252 封装设计，使其适用于空间受限的应用。此外，该 MOSFET 还具备良好的抗雪崩能力和高耐用性，适合在高应力工作环境下使用。由于其 P 沟道特性，EPH1R8030 特别适用于高边开关应用，例如电源管理、负载开关、电机控制和电池保护电路等。
　　该器件的栅极驱动电压范围较宽，支持 -4.5V 至 -10V 的栅源电压，能够兼容多种驱动电路设计。其封装形式支持表面贴装，便于自动化生产和 PCB 布局优化。此外，EPH1R8030 还具有快速开关能力，有助于减少开关损耗，提高整体系统性能。这些特性使得该器件在工业电源、DC-DC 转换器、汽车电子、便携式设备电源管理等领域具有广泛的应用前景。

应用

EPH1R8030 MOSFET 主要用于需要高电流和高效率的功率管理电路中。典型应用包括 DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统（BMS）、电机驱动器、电源分配系统、工业自动化设备以及汽车电子中的高边开关控制。其低导通电阻和高电流能力使其成为高功率密度设计的理想选择。此外，该器件也可用于 UPS（不间断电源）、服务器电源、通信设备电源以及便携式电子设备的电源管理系统中。