时间：2025/5/9 18:11:50
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2N7002-TP 是一种增强型 N 沟道小信号 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于模拟和数字电路中。该器件具有低漏极电流、快速开关特性和高增益，非常适合驱动负载或用作高频放大器。其封装形式为 TO-92 或 SOT-23，具体取决于制造商的型号选择。
2N7002-TP 通常用于电源管理、信号切换以及各种低功率应用中，是电子设计中的常用元件之一。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
最大漏极电流：200mA
功耗：400mW
导通电阻：2.9Ω
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
跨导：350μS
输入电容：80pF
2N7002-TP 的主要特性包括以下几点：
1. 高输入阻抗，能够减少信号源负载。
2. 快速开关速度，适用于高频电路环境。
3. 小型封装，适合空间受限的设计。
4. 耐热性能良好，可在较宽的工作温度范围内稳定运行。
5. 可靠性高，具备长期使用的稳定性。
6. 栅极阈值电压较低，便于与逻辑电平兼容，简化了电路设计。
2N7002-TP 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源中的初级或次级侧控制电路。
2. 音频设备中的信号切换。
3. 电池保护电路中的负载开关。
4. 数字电路中的信号驱动及电平转换。
5. 照明系统中的 LED 控制。
6. 各种低功率、高频场合下的信号处理和传输。
2N7002K, BSS138, SI2302DS, PMV10EN
