型号：EPC8QI100N
　　类型：增强型氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）
　　漏源电压（VDS）：100V
　　栅源电压（VGS）：-8V 至 +7V
　　连续漏极电流（ID）@25°C：35A
　　脉冲漏极电流（ IDM）：140A
　　导通电阻（RDS(on)）@max VGS：10mΩ
　　阈值电压（Vth）：典型值2.6V，范围2.2V至3.0V
　　输入电容（Ciss）：典型值960pF
　　输出电容（Coss）：典型值165pF
　　反向恢复电荷（Qrr）：0C
　　栅极电荷（Qg）：典型值11.5nC
　　开关延迟时间（td(on)）：典型值5ns
　　上升时间（tr）：典型值3ns
　　下降时间（tf）：典型值3ns
　　封装形式：LGA 8引脚
　　工作结温范围：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C

EPC8QI100N的核心优势在于其基于氮化镓（GaN）材料的增强型HEMT结构，这使得它在高频、高效率电力转换应用中表现出远超传统硅MOSFET的性能。首先，其极低的导通电阻（RDS(on) = 10mΩ）显著降低了导通损耗，尤其是在大电流条件下，能够有效提升整体系统效率。同时，由于氮化镓材料具备更高的电子迁移率，该器件具有极快的开关速度，开关延迟时间仅5ns左右，上升和下降时间均在3ns以内，支持MHz级别的开关频率，从而大幅减小磁性元件和电容的体积，实现更高功率密度的设计。
　　其次，EPC8QI100N采用了增强型设计，即在栅极为零时器件默认关断，这一特性极大提升了系统的安全性和易用性，避免了耗尽型GaN器件需要负压关断的复杂驱动要求。它可直接与标准CMOS或LV CMOS驱动器接口，简化了驱动电路设计，降低了系统成本和开发难度。此外，该器件具有极低的栅极电荷（Qg = 11.5nC）和输入电容（Ciss = 960pF），减少了驱动损耗，进一步提升了高频工作的效率。
　　另一个关键特性是其几乎为零的反向恢复电荷（Qrr ≈ 0），这意味着在桥式拓扑中体二极管反向恢复引起的损耗和噪声几乎被消除，显著改善了硬开关和同步整流应用中的EMI表现和效率。这对于LLC谐振转换器、有源钳位反激（ACF）和多相VRM等拓扑尤为重要。此外，EPC8QI100N采用LGA 8引脚封装，具有优良的热性能和低寄生电感，有助于提高开关稳定性并减少振铃现象。
　　该器件的工作结温可达+150°C，具备良好的热稳定性，并可在-55°C至+150°C的宽温度范围内可靠运行，适用于工业、汽车和通信等严苛环境。EPC公司还提供了完整的可靠性测试数据和寿命模型，确保器件在长期使用中的稳定性。综合来看，EPC8QI100N凭借其高速、高效、小型化和易于使用的特性，成为下一代电源系统中替代硅MOSFET的理想选择。

EPC8QI100N广泛应用于需要高效率和高开关频率的电力电子系统中。其主要应用领域包括高性能DC-DC转换器，特别是在服务器、数据中心和通信设备中使用的多相降压变换器（VRM），其低RDS(on)和快速开关能力可显著提升转换效率并缩小整体体积。此外，该器件也适用于48V–12V中间母线转换器，在轻载和满载条件下均能维持高效率，满足现代电信和云计算基础设施的节能需求。
　　在消费类电子领域，EPC8QI100N可用于高功率密度的USB PD充电器、无线充电发射端以及LED照明驱动电源，支持高频谐振拓扑如LLC和QR Flyback，实现小型化和高效化设计。其零反向恢复特性特别适合用于同步整流电路，有效降低损耗并提升轻载效率。
　　在汽车电子方面，该器件可用于车载充电机（OBC）、DC-DC转换模块以及激光雷达（LiDAR）驱动电路。在LiDAR系统中，EPC8QI100N的纳秒级开关速度可用于精确控制高功率脉冲电流，驱动VCSEL或EEL激光器，实现远距离、高分辨率的探测能力。
　　此外，EPC8QI100N还可用于太阳能微型逆变器、电机驱动器、RF功率放大器以及工业电源系统。其LGA封装支持自动贴片生产，适用于大规模制造。结合EPC提供的开发板和参考设计，工程师可以快速评估和部署基于该器件的解决方案，加速产品上市周期。