EPC8009 时间：2025/7/19 8:25:25 阅读：3

EPC8009是一款由EPC（Efficient Power Conversion）公司推出的增强型氮化镓场效应晶体管（eGaN FET），专为高效率、高频开关应用设计。该器件采用先进的氮化镓半导体技术，具有低导通电阻、高速开关特性以及优异的热性能，适用于电源转换、DC-DC变换器、无线充电、激光雷达（LiDAR）驱动、D类音频放大器等高频高效率应用场景。EPC8009采用小型化的晶片级封装（Chip-Scale Package, CSP），便于在空间受限的设计中使用。

参数

类型：增强型氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）
　　漏源电压（VDS）：100V
　　连续漏极电流（ID）：25A
　　导通电阻（RDS(on)）：8.8mΩ
　　栅极电荷（QG）：5.2nC
　　输入电容（Ciss）：900pF
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装类型：晶片级封装（CSP）

特性

EPC8009具备多项先进特性，使其在高频功率转换应用中表现出色。首先，其采用氮化镓材料，具有更低的导通电阻和更高的电子迁移率，使得器件在高频开关条件下仍能保持较低的导通损耗和开关损耗。
　　其次，该器件具有非常低的栅极电荷（QG）和输入电容（Ciss），有助于降低驱动损耗并提高开关速度，从而提升整体系统效率。
　　此外，EPC8009采用无引线的晶片级封装，具有优异的热传导性能，能够在高功率密度设计中有效散热。
　　其封装形式也使其适用于自动化表面贴装工艺，便于集成于高密度PCB布局中。
　　该器件无需使用散热片即可在高电流条件下稳定工作，进一步减少系统体积和成本。
　　同时，EPC8009具有宽泛的工作温度范围（-55°C至150°C），适应多种工业和汽车应用环境。
　　最后，EPC8009的增强型结构设计使其具备自保护特性，降低了对外部保护电路的依赖，提高了系统的可靠性。

应用

EPC8009广泛应用于对效率和功率密度要求较高的电子系统中。典型应用包括高频DC-DC降压/升压变换器、同步整流器、48V服务器电源转换模块、车载电源系统、无线充电发射端、D类音频放大器以及激光雷达（LiDAR）脉冲驱动电路等。此外，该器件也可用于高效率太阳能逆变器、储能系统以及工业自动化设备中的功率模块。其优异的高频开关性能和紧凑的封装形式，使其成为替代传统硅基MOSFET的理想选择，特别是在追求高效率、高功率密度和小型化设计的应用场景中。