ASM809TEUR-T 时间：2025/4/27 16:14:31 阅读：6

ASM809TEUR-T 是一款高性能的功率MOSFET晶体管，适用于需要高效率和低导通电阻的应用场景。该器件采用先进的制造工艺，具有出色的开关特性和低功耗特点，广泛用于电源管理、电机驱动、工业控制以及其他需要高效功率转换的电子系统中。
　　该型号属于功率半导体产品系列，通常以TO-263封装形式提供，这种封装具备良好的散热性能和电气特性，能够满足高功率应用的需求。

参数

类型：N沟道 MOSFET
　　封装：TO-263
　　Vds（漏源电压）：90V
　　Rds(on)（导通电阻）：15mΩ（典型值，在Vgs=10V条件下）
　　Id（连续漏极电流）：47A
　　Pd（总功耗）：150W
　　f（工作频率范围）：支持高达500kHz的开关频率
　　结温范围：-55℃至+175℃

特性

ASM809TEUR-T 的主要特性包括：
　　1. 极低的导通电阻Rds(on)，可显著降低导通损耗并提高整体效率。
　　2. 快速开关速度，适合高频操作环境。
　　3. 高雪崩能量能力，增强了器件在异常情况下的耐用性。
　　4. 热稳定性强，能够在极端温度范围内可靠运行。
　　5. 符合RoHS标准，环保且安全。
　　6. 提供优异的动态性能，适用于复杂负载条件下的应用。
　　这些特性使得 ASM809TEUR-T 成为多种功率转换和控制应用的理想选择。

应用

该芯片的主要应用场景包括：
　　1. 开关电源（SMPS）中的功率级转换。
　　2. DC-DC转换器和降压/升压电路。
　　3. 电动工具及家用电器中的电机驱动。
　　4. 工业自动化设备中的负载开关。
　　5. 电池管理系统（BMS）中的保护电路。
　　6. 汽车电子系统的功率控制模块。
　　由于其卓越的性能和可靠性，ASM809TEUR-T 能够满足多种高要求应用的需求。