时间：2025/8/6 5:27:14
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IXFH47N60C是一款由IXYS公司生产的高功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），设计用于高电压和高电流应用。该器件采用TO-247封装，具有低导通电阻和高开关速度的特性，非常适合用于电源转换和功率放大器等电路。IXFH47N60C的最大漏极电流为47A，最大漏极-源极电压为600V。
最大漏极电流：47A
最大漏极-源极电压：600V
最大栅极-源极电压：±20V
导通电阻：0.155Ω
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：TO-247
IXFH47N60C的主要特性包括低导通电阻，这减少了导通状态下的功率损耗，提高了效率；高开关速度，使其适用于高频开关应用；以及高电压和电流的额定值，使其适用于高功率应用。
此外，IXFH47N60C具有良好的热性能，能够在高温环境下稳定工作。该器件的栅极驱动要求较低，能够与标准的栅极驱动电路兼容，简化了设计和应用。IXFH47N60C还具有较高的耐用性和可靠性，适用于需要长时间连续运行的工业设备。
IXFH47N60C广泛应用于各种高功率电子设备中，如电源供应器、直流-直流转换器、电机驱动器、逆变器以及焊接设备等。由于其高效率和可靠性，IXFH47N60C也常用于太阳能逆变器和电动汽车充电系统等新能源领域。此外，它还可以用于音频功率放大器和其他需要高电流和高电压的模拟电路。
STP47N60C2, FQA47N60C
