类型：增强型氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）
　　漏源电压（VDS）：100V
　　连续漏极电流（ID）：5.9A
　　导通电阻（RDS(on)）：220mΩ
　　栅极电荷（QG）：4.1nC
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装类型：CSP24
　　输入电容（Ciss）：340pF
　　输出电容（Coss）：90pF
　　反向恢复时间（trr）：接近零

EPC610-CSP24 具备多项先进特性，使其在高频功率转换应用中表现优异。
　　首先，该器件采用了先进的氮化镓半导体技术，具有极低的导通电阻（RDS(on)）和极快的开关速度，显著降低了开关损耗和导通损耗，从而提高了整体能效。
　　其次，其栅极驱动电压范围较宽，通常为4.5V至6.1V，这使得其与标准MOSFET驱动器兼容，简化了电路设计。
　　此外，EPC610-CSP24 的反向恢复时间几乎为零，这是由于其单极性结构特性，避免了传统硅基MOSFET中常见的体二极管反向恢复问题，从而减少了开关过程中的能量损耗和电磁干扰（EMI）。
　　该器件还具备优异的热性能，CSP24封装结构能够提供良好的散热能力，确保在高功率密度应用中稳定运行。
　　最后，EPC610-CSP24 的封装尺寸非常紧凑，适合空间受限的设计，同时具备较高的集成度，适用于多相电源、高频DC-DC转换器和同步整流等应用场合。

EPC610-CSP24 主要应用于需要高效、高频开关性能的电源系统中。例如，它广泛用于DC-DC降压转换器、升压转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统、无线充电模块、LED驱动器、电机驱动器以及各种便携式电子设备的电源管理单元。此外，由于其优异的高频性能和低导通损耗，该器件也常用于服务器电源、电信设备、工业自动化和消费类电子产品中，以提升整体能效和系统集成度。

EPC6001, EPC2021, EPC6120