类型：氮化镓功率场效应晶体管（GaN FET）
　　漏源电压（VDS）：100V
　　漏极电流（ID）：8A
　　导通电阻（RDS(on)）：180mΩ
　　栅极电荷（Qg）：9.5nC
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装类型：BGA（JHU1）
　　功率耗散（Pd）：2.8W
　　输入电容（Ciss）：720pF
　　

EPC4SI8N-JHU1 作为一款高性能氮化镓功率晶体管，具备多项显著优势。首先，其低导通电阻（RDS(on)）仅为180mΩ，大大降低了导通损耗，提高了整体效率。其次，氮化镓材料本身的高电子迁移率使得该器件在高频应用中表现出色，开关损耗显著降低，从而支持更高的开关频率，减少外部电感和电容的尺寸，实现更紧凑的电路设计。此外，该器件的栅极电荷（Qg）为9.5nC，输入电容（Ciss）为720pF，这些参数有助于减少驱动损耗，提升系统的动态响应能力。
　　在热管理方面，EPC4SI8N-JHU1 采用先进的BGA（JHU1）封装，具备良好的散热性能，能够在高温环境下稳定工作。其工作温度范围为-55°C至150°C，适应各种严苛的工业和汽车应用环境。此外，该器件的功率耗散为2.8W，能够在高功率密度设计中保持良好的热稳定性。
　　从可靠性角度来看，EPC4SI8N-JHU1 在设计上优化了栅极保护电路，具备较强的抗静电能力（ESD），同时通过严格的测试和认证，确保在各种应用中的长期稳定性和耐用性。其漏极电流为8A，在100V电压下可提供稳定的功率输出，适用于中高功率的电源转换系统。

EPC4SI8N-JHU1 主要应用于需要高效能、高频开关和紧凑设计的电源系统。例如，在服务器电源、电信设备电源、工业自动化系统和可再生能源逆变器中，该器件能够显著提升效率并降低功耗。此外，EPC4SI8N-JHU1 也广泛用于DC-DC转换器、同步整流器、电机控制模块以及无线充电系统等应用中。由于其具备高频操作能力和低开关损耗，特别适合用于需要高频率工作的谐振转换器、LLC转换器以及多相电源架构。在电动汽车（EV）充电设备、太阳能逆变器以及储能系统中，该器件也展现了良好的性能和可靠性。

EPC2023、EPC4S10N、GS61004B