时间：2025/8/21 16:01:15
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DME3939-257 是一款由 Diodes Incorporated 生产的 P 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于各种高效率电源管理应用。该器件具有低导通电阻、高耐压能力以及良好的热稳定性，是电源开关、负载开关和 DC-DC 转换器等应用的理想选择。
类型：P 沟道 MOSFET
漏源电压（VDS）：-30V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：-4.1A
导通电阻（RDS(on)）：45mΩ @ VGS = -10V；57mΩ @ VGS = -4.5V
功率耗散（PD）：2.5W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：SOT26
DME3939-257 是一款高性能的 P 沟道 MOSFET，具有较低的导通电阻（RDS(on)），从而减少了导通状态下的功率损耗，提高了整体系统效率。其导通电阻在 -10V 和 -4.5V 栅极电压下分别仅为 45mΩ 和 57mΩ，这使得该器件在低压应用中尤为有用，例如电池供电设备和便携式电子产品。
该器件采用 SOT26 封装，具有良好的热性能和紧凑的尺寸，适用于空间受限的设计。此外，DME3939-257 的最大漏源电压为 -30V，能够承受较高的电压应力，确保在各种工作条件下的可靠性。
该 MOSFET 支持高达 -4.1A 的连续漏极电流，适用于需要较高电流能力的应用。同时，其 ±20V 的栅源电压容限提高了在高噪声环境中的稳定性，减少了误触发的风险。
此外，DME3939-257 还具备良好的热稳定性，能够在高温环境下正常工作，确保长期运行的可靠性。其 -55°C 至 +150°C 的宽工作温度范围使其适用于工业级和汽车电子应用。
DME3939-257 主要应用于电源管理系统、负载开关、DC-DC 转换器、电池充电电路以及便携式电子设备中的高效能开关器件。由于其低导通电阻和高电流能力，该 MOSFET 特别适合用于需要高效率和低功耗的场合，例如笔记本电脑、平板电脑、智能手机和其他电池供电设备。
在电源管理系统中，DME3939-257 可以作为主开关或负载开关，实现对电源的精确控制和高效能管理。在 DC-DC 转换器中，该器件能够提供高效的能量转换，减少功率损耗，提高系统整体效率。
此外，DME3939-257 还可用于电机控制、LED 驱动、电源逆变器等应用场景，满足不同领域的多样化需求。
Si4435BDY, NTR4501N, DMN61D8LVT
