时间：2025/5/8 18:41:33
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EPC4QI100N 是由 Efficient Power Conversion (EPC) 公司推出的一款基于氮化镓（GaN）技术的场效应晶体管（FET）。该器件采用增强型 GaN 技术，具有低导通电阻和快速开关速度的特点。EPC4QI100N 主要用于高频电源转换、DC-DC 转换器、无线充电设备以及激光雷达系统等应用。
EPC4QI100N 的封装形式为芯片级封装（CSP），这种设计有助于减少寄生电感并提高整体效率。此外，由于其高频率运行能力，能够显著减小无源元件的尺寸，从而降低整个系统的体积与成本。
额定电压：100V
最大漏源电流：37A
导通电阻：18mΩ
栅极电荷：3.6nC
输入电容：1150pF
输出电容：230pF
反向传输电容：95pF
工作温度范围：-55℃ 至 +125℃
EPC4QI100N 拥有非常低的导通电阻和栅极电荷，这使得它在高频条件下表现出优异的效率和性能。
由于采用了先进的 GaN 技术，该器件能够支持高达数兆赫兹的工作频率，同时具备出色的热性能。
其芯片级封装（CSP）进一步优化了 PCB 布局，减少了寄生参数的影响，并提高了功率密度。
此外，EPC4QI100N 还具有短路保护功能，在某些异常情况下可以有效避免永久性损坏。
总体而言，这款 GaN FET 非常适合需要高效能和小型化的现代电子设计。
EPC4QI100N 广泛应用于高频 DC-DC 转换器、服务器电源、工业电机驱动器以及消费类电子产品中的无线充电模块。
在激光雷达领域，该器件凭借其快速的开关速度和低损耗特性，成为理想的驱动选择。
另外，它也适用于光伏逆变器、电动汽车充电桩以及其他要求高效能量转换的应用场景。
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