EPC40C100N 时间：2025/12/25 1:49:27 阅读：15

EPC40C100N 是一款由 Efficient Power Conversion（EPC）公司制造的增强型氮化镓场效应晶体管（eGaN FET），型号为 EPC40C100N。这款晶体管专为高效率、高频电力电子应用而设计，采用了先进的氮化镓半导体技术，具有低导通电阻、快速开关速度和高热稳定性的特点。EPC40C100N 适用于各种高功率密度应用，如DC-DC转换器、服务器电源、无线充电、太阳能逆变器以及电机驱动系统。其封装形式为倒装芯片（Chip-scale Package），有助于降低寄生电感并提升高频性能。

参数

类型：增强型氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）
　　漏源电压（VDS）：100V
　　连续漏极电流（ID）：40A（在TC=25°C时）
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值为8.5mΩ
　　最大功耗：2.2W
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装形式：倒装芯片（Chip-scale Package）
　　栅极电荷（QG）：典型值为8.3nC
　　漏源击穿电压（BVDSS）：100V
　　栅极驱动电压：5V（推荐）

特性

EPC40C100N 采用了EPC公司独有的氮化镓（GaN）技术，具备出色的电气性能和热管理能力。其增强型结构使其在正常工作状态下默认关闭，从而提高了系统的安全性和可靠性。该器件的导通电阻非常低，仅为8.5mΩ，这有助于降低导通损耗并提高整体效率。此外，EPC40C100N 具有极快的开关速度，能够支持MHz级别的高频操作，适用于需要高开关频率的电源拓扑结构，如谐振转换器和多相DC-DC转换器。
　　EPC40C100N 的倒装芯片封装设计显著减少了封装尺寸和寄生电感，从而提升了器件在高频工作时的性能。该封装形式还提高了热传导效率，使得器件能够在高负载条件下保持较低的工作温度。此外，EPC40C100N 在栅极驱动电压为5V时即可实现完全导通，简化了栅极驱动电路的设计，并兼容标准的MOSFET驱动器。
　　这款氮化镓FET还具备出色的短路耐受能力和较高的可靠性，能够在苛刻的工作环境下稳定运行。它适用于各种高效率、高功率密度的电源系统，能够显著提升电源的转换效率和功率密度。同时，EPC40C100N 的设计也考虑到了EMI（电磁干扰）的控制，使得系统设计者可以更容易地满足EMI标准。

应用

EPC40C100N 广泛应用于各种高效率、高频电力电子系统中。它常用于高性能DC-DC转换器，如用于服务器和电信设备的VRM（电压调节模块）和POL（负载点）电源。在无线充电系统中，该器件的高频特性使其成为理想的开关元件，有助于提高能量传输效率并减小系统体积。此外，EPC40C100N 还可用于太阳能逆变器、电机驱动器、电池充电器以及各种高功率密度电源系统。在激光驱动和超声波清洗设备中，该器件的快速开关能力也使其成为理想选择。