EPC2001C 时间：2025/8/16 3:35:06 阅读：40

EPC2001C是由Efficient Power Conversion（EPC）公司推出的一款增强型氮化镓（GaN）场效应晶体管（eGaN FET），适用于高效率、高频功率转换应用。这款器件采用先进的GaN-on-Si技术制造，具有低导通电阻、快速开关速度和优异的热性能，适用于诸如DC-DC转换器、负载点电源（POL）、电机驱动、无线充电以及高密度电源系统等应用。EPC2001C采用紧凑的晶圆级芯片尺寸封装（Chip-Scale Package，CSP），便于实现高功率密度设计。

参数

类型：增强型氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）
　　漏源电压（VDS）：100V
　　连续漏极电流（ID）：30A（在TC=25°C）
　　导通电阻（RDS(on)）：5.5mΩ（典型值）
　　栅极电荷（QG）：7.8nC
　　输出电容（COSS）：420pF
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装形式：晶圆级芯片尺寸封装（WLCSP）

特性

EPC2001C具备多项优异的电气和物理特性，使其在高频功率转换应用中表现出色。首先，其导通电阻仅为5.5mΩ，显著降低了导通损耗，从而提高了系统效率。其次，该器件的栅极电荷（QG）较低，为7.8nC，有助于减少开关损耗，使得EPC2001C适用于高频开关应用。此外，其输出电容（COSS）为420pF，有助于减小关断过程中的电压尖峰，提高系统的稳定性。
　　在热性能方面，EPC2001C采用晶圆级芯片尺寸封装，具有优异的热传导能力，能够有效散发工作时产生的热量。其工作温度范围为-55°C至150°C，适用于各种严苛环境条件下的应用。同时，EPC2001C具有低寄生电感的封装设计，有助于减少高频开关过程中因寄生电感引起的电压震荡，从而提升系统的可靠性和稳定性。
　　该器件还具备卓越的短路耐受能力，在异常工作条件下也能保持良好的性能，从而提高系统的安全性。此外，EPC2001C无需使用外部反向恢复二极管，其内部体二极管具备快速恢复特性，进一步简化了电路设计并提高了整体效率。

应用

EPC2001C广泛应用于需要高效能、高功率密度和高频操作的电源系统中。其典型应用包括同步整流DC-DC降压（Buck）和升压（Boost）转换器、负载点电源（POL）、48V服务器电源、电信设备电源、电机驱动器、无线充电系统、LED驱动电源以及高密度AC-DC电源适配器等。在这些应用中，EPC2001C能够显著提升转换效率，减少散热设计的复杂性，并缩小整体电源系统的体积，满足现代电子设备对小型化和高能效的严格要求。