EPC16QC100N 是一款基于砷化镓(GaAs)工艺的射频功率晶体管,专为无线通信、雷达系统以及测试测量设备中的高频率应用而设计。该器件具有优异的线性度和效率,在高频段表现尤为突出。其封装形式通常为气密封装以保证在恶劣环境下的可靠性。
最大功率:100W
工作频率范围:800MHz 至 2.5GHz
增益:16dB
电源电压:50V
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
输出阻抗:50Ω
封装类型:陶瓷气密封装
EPC16QC100N 具备高功率密度与高效的能量转换能力,能够显著降低系统的热管理需求。
它采用 GaAs 工艺制造,确保了高频条件下出色的性能稳定性。
此外,该晶体管具备较高的线性度,适合于多载波及复杂调制信号的放大处理。
由于采用了气密封装技术,这款器件在湿度、盐雾等极端环境下仍能保持长期的可靠性。
EPC16QC100N 广泛应用于多种射频功率放大场景,包括但不限于:
基站功放模块,用于增强无线通信网络覆盖范围。
雷达发射机,提供稳定的高功率射频信号输出。
测试与测量设备,例如矢量信号发生器和频谱分析仪。
卫星通信终端,实现高质量的数据传输。
EPC17QC120N