EPC1213PC8 是一款由 Efficient Power Conversion (EPC) 公司推出的增强型氮化镓(GaN)场效应晶体管(eGaN FET)。该器件基于先进的 GaN 技术,提供卓越的开关性能和效率,适用于高频、高功率密度的应用场景。EPC1213PC8 的设计目标是替代传统的硅基 MOSFET,同时减小系统尺寸并提高效率。
其封装形式为芯片级封装(CSP),有助于降低寄生电感,提升整体性能。
类型:增强型场效应晶体管
材料:氮化镓(GaN)
导通电阻(Rds(on)):75 mΩ(典型值,在 Vgs=4.5V 时)
击穿电压(BVDSS):100 V
栅极驱动电压(Vgs):0-6 V
连续漏极电流(Id):9 A(在 25°C 时)
开关速度:高达 1 MHz
结温范围:-55°C 至 +125°C
封装:CSP
EPC1213PC8 提供了多种优势,使其成为高性能电源转换应用的理想选择。首先,它具有非常低的导通电阻,能够显著减少传导损耗,从而提高系统的效率。
其次,由于其支持高频工作,因此可以使用更小的无源元件(如电感和电容),从而减小整个系统的尺寸和重量。
此外,EPC1213PC8 的芯片级封装进一步降低了寄生电感,提升了动态性能,并且简化了 PCB 布局设计。
最后,与传统的硅 MOSFET 相比,这款 GaN 器件具有更快的开关速度和更高的效率,非常适合需要高功率密度和快速响应的应用环境。
EPC1213PC8 广泛应用于多种领域,包括但不限于:
1. DC-DC 转换器:用于服务器、通信设备和工业电源等场合。
2. 无线充电:支持高效、紧凑的无线充电解决方案。
3. 激光雷达(LiDAR):实现快速脉冲生成和高精度距离测量。
4. 医疗设备:例如超声波发射器和其他需要高频率和高效率的医疗仪器。
5. 消费类电子产品:如笔记本电脑适配器、USB-PD 快充头等。
这些应用充分利用了 EPC1213PC8 的高效能和小型化特点,满足现代电子设备对性能和空间的双重需求。
EPC2015C, EPC2016C