类型：氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）
　　漏源电压（VDS）：200 V
　　连续漏极电流（ID）：50 A（在TC = 25°C）
　　导通电阻（RDS(on)）：16 mΩ（典型值）
　　封装类型：8引脚VPC（Vias in Pad Chip Scale）
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　栅极电荷（QG）：13 nC（典型值）
　　输入电容（Ciss）：1120 pF（典型值）
　　功率耗散（PD）：130 W（在TC = 25°C）
　　封装尺寸：5.0 mm x 3.5 mm x 1.0 mm
　　符合RoHS标准：是

EPC1064VPC8作为一款高性能氮化镓晶体管，具备多项显著优势。首先，其低导通电阻（16 mΩ）显著降低了导通损耗，提高了整体系统效率。其次，该器件具备极低的栅极电荷（QG为13 nC）和输入电容（Ciss为1120 pF），使得开关损耗大幅降低，非常适合高频开关应用。此外，EPC1064VPC8采用了先进的VPC封装技术，该封装具有良好的热性能和机械稳定性，确保器件在高功率密度应用中的可靠运行。
　　EPC1064VPC8的8引脚VPC封装设计不仅优化了电气性能，还提升了封装的热管理能力，确保器件在高电流和高功率条件下保持较低的工作温度。该封装结构允许直接焊接到PCB上，减少了寄生电感，提高了高频响应。此外，该器件具有宽广的工作温度范围（-55°C至150°C），适用于各种恶劣工作环境。
　　该晶体管的栅极驱动电压范围为4.5 V至6 V，确保了与标准MOSFET驱动器的兼容性。同时，EPC1064VPC8具备良好的短路耐受能力，能够在极端工作条件下保持稳定运行。其高dv/dt抗扰能力也使其在高频变换器中表现出色，减少了电磁干扰（EMI）问题，提高了系统的稳定性。

EPC1064VPC8广泛应用于需要高效率、高频功率转换的电力电子系统中。典型应用包括高频DC-DC转换器、负载点电源（POL）、服务器电源、同步整流器、功率因数校正（PFC）电路以及高频功率放大器等。由于其低导通电阻和快速开关特性，该器件特别适用于需要高功率密度和高效能的电源管理系统。
　　在服务器和数据中心电源系统中，EPC1064VPC8能够有效提升电源转换效率，降低能耗，满足绿色能源和高密度电源设计的需求。在高频DC-DC转换器中，该器件可以实现更小的磁性元件设计，从而减小整体系统体积，提高功率密度。此外，其优异的热性能使其在高功率密度应用中保持稳定运行，减少了散热器的需求，从而降低了系统成本。
　　在同步整流和功率因数校正电路中，EPC1064VPC8的低导通电阻和快速开关特性有助于减少能量损耗，提高系统整体效率。同时，该器件的高dv/dt耐受能力使其在高频率开关应用中表现出色，减少了电磁干扰（EMI），提高了系统的稳定性。

EPC1065, EPC1063, EPC2050, EPC2045