类型：增强型氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）
　　漏源电压（VDS）：200V
　　连续漏极电流（ID）：20A（在TC=25°C）
　　导通电阻（RDS(on)）：50mΩ（典型值）
　　栅极电荷（QG）：10nC（典型值）
　　反向恢复电荷（QRR）：0 nC（无体二极管反向恢复）
　　封装类型：20引脚 QFN（散热增强型）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　热阻（RθJC）：1.5°C/W

EPC1064-LC20 采用氮化镓半导体材料，具备极低的导通电阻和出色的开关性能，显著降低了导通和开关损耗，提高了功率转换效率。
　　该器件具备零反向恢复电荷（QRR），消除了传统硅MOSFET中因体二极管反向恢复造成的损耗和噪声，从而提升了系统稳定性并降低了EMI。
　　其高频操作能力使得外围元件（如电感、电容）的尺寸可以大幅缩小，从而实现更高功率密度的设计。
　　内置的栅极驱动电路和保护机制，使其易于驱动并具备更高的系统可靠性。
　　采用20引脚QFN封装，具备良好的散热性能，适用于高功率密度应用。
　　由于其宽禁带特性，EPC1064-LC20 在高温环境下仍能保持稳定运行，适合工业级和汽车级应用。

EPC1064-LC20 主要应用于需要高效率和高频开关性能的电力电子系统，如服务器电源、电信电源、DC-DC转换器、同步整流器、负载点电源（POL）、电机驱动、无线充电系统以及太阳能逆变器等。
　　它特别适合用于需要高功率密度和高效率的现代电源管理系统，如数据中心的电源供应单元（PSU）和高性能计算设备的供电系统。
　　此外，该器件还可用于汽车电子系统，如车载充电器（OBC）和电池管理系统（BMS），满足汽车对高可靠性和高效率的严格要求。
　　在工业自动化和机器人控制系统中，EPC1064-LC20 也能提供出色的功率转换性能，提升整体系统的响应速度和能效。

EPC1064-LC20 可以与 EPC2052、EPC2067 和 GaN Systems 的 GS66508T 等型号进行互换，具体替换需参考应用条件和系统要求。