类型：增强型氮化镓（GaN）FET
　　漏源电压（VDS）：100V
　　连续漏极电流（ID）：15A
　　导通电阻（RDS(on)）：5.8mΩ（典型值）
　　栅极电荷（QG）：3.2nC（典型值）
　　输出电容（COSS）：420pF（典型值）
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：BGA（芯片级封装，Chip-Scale Package）
　　安装方式：表面贴装（SMD）
　　引脚数：6
　　功耗（PD）：4.2W
　　栅极驱动电压（VGS）：5V（推荐）

EPC1020H-LF采用先进的氮化镓技术，具有出色的电学性能和热管理能力。其低导通电阻（RDS(on)）确保了在高电流下的低功耗，适用于需要高效能转换的应用。由于氮化镓材料的特性，该器件的开关速度远高于传统硅基MOSFET，从而降低了开关损耗并提高了系统的整体效率。此外，EPC1020H-LF的封装设计优化了电流路径，减少了寄生电感，有助于实现更稳定的高频工作。
　　该器件还具备良好的热稳定性，能够在较高的工作温度下保持稳定性能，同时其宽广的工作温度范围也适用于严苛的工业环境。EPC1020H-LF的封装尺寸紧凑，适合高密度PCB布局，有利于减小电源系统的体积和重量。由于其无铅（LF）设计，符合现代电子产品的环保要求，适合用于消费类、工业及汽车电子等多个领域。
　　在可靠性方面，EPC1020H-LF通过了严格的质量测试，并具备较高的耐用性。它能够在频繁的开关操作中保持稳定的性能，适用于高频率的脉宽调制（PWM）控制。此外，其栅极驱动电压要求较低，可与标准的5V驱动电路兼容，简化了驱动电路的设计。

EPC1020H-LF适用于多种高频、高效率的电力电子系统，包括但不限于以下应用场景：DC-DC降压/升压转换器、同步整流电路、电机控制与驱动器、负载开关与电源管理模块、LED照明调光系统以及便携式电源设备。由于其优异的高频特性，EPC1020H-LF特别适合用于无线充电系统、功率因数校正（PFC）电路以及高效能服务器电源模块等新兴应用领域。

EPC1020H, EPC2015C, EPC2023C, GS61004B