类型：LDMOS RF功率晶体管
　　频率范围：25MHz - 500MHz
　　最大漏极电压：VDSS = 65V
　　最大漏极电流：ID = 1.2A
　　输出功率：73W（典型值）
　　增益：约20dB
　　封装类型：金属陶瓷（TO-270AA）
　　工作温度范围：-65°C 至 +150°C
　　热阻（结到壳）：RθJC = 0.8°C/W
　　存储温度范围：-65°C 至 +150°C

EPA073HL-25 LDMOS RF功率晶体管具备多项优异特性，使其在高性能射频放大器设计中具有广泛应用。首先，它能够在25MHz至500MHz的宽频率范围内稳定工作，适应多种通信标准，如GSM、CDMA、W-CDMA等。该器件具有较高的输出功率能力（73W），同时保持较高的增益（约20dB），从而减少前级驱动的需求，简化放大器设计。此外，其高漏极电压耐受能力（65V）和良好的热阻（RθJC = 0.8°C/W）确保了在高功率操作时的稳定性和长寿命。该晶体管采用金属陶瓷封装，具有良好的散热性能和机械强度，适合在高温和高湿度环境下使用。EPA073HL-25还具备良好的抗失真能力和高线性度，适合用于需要高保真信号放大的通信设备。其宽工作温度范围（-65°C至+150°C）也使其适用于极端环境条件下的应用，例如军事和工业设备。

EPA073HL-25广泛应用于各种高功率射频系统中，包括移动通信基站（如GSM、CDMA、W-CDMA等）、广播发射设备（如FM广播和电视发射机）、雷达系统、工业加热设备、医疗射频设备以及测试和测量仪器。其高功率输出和宽频率响应使其成为高性能射频放大器的理想选择。此外，由于其优异的热稳定性和封装耐用性，该器件也适用于需要长期连续运行的工业和军事应用。在设计中，EPA073HL-25通常作为末级功率放大器（PA）使用，提供高效率和高线性度的信号放大能力。

EPA073HL-25的替代型号包括EPA073H、EPA073HL-20、EPA073H-25等，这些型号在封装、工作频率范围或输出功率方面略有不同，可根据具体应用需求进行选择。